氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法 

本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有:第1步骤,在基板上形成氧化物半导体薄膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定上...
株式会社神户制钢所  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物层的制造方法和半导体元件的制造方法 

本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量%以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中,分散有在被氧化时成...
国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式…  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、氧化物半导体层、半导体元件及电子装置 

本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法,包含以下工序:前驱体层的形成工序,其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状,其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物...
国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式…  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

p-型氧化物半导体、用于制造p-型氧化物半导体的组合物、p-型氧化物半导体的制造方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置和系统 

p#型氧化物半导体,其包括:包含铊(Tl)的金属氧化物,其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。
株式会社理光  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 

本发明描述了包括多层电荷储存层的半导体存储设备和形成该半导体存储设备的方法的实施例。一般,设备包括:由覆盖在衬底上的表面的半导体材料形成的沟道,该沟道连接存储设备的源极和漏极;覆盖沟道的隧道氧化物层;以及多层电荷储存层,其包括在隧道氧化物层上的富氧、第一氮氧化物层和在第一氮氧化物层上的贫氧、第二氮氧化物层,其中第一氮氧...
赛普拉斯半导体公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

p型氧化物、p型氧化物制造用组合物、p型氧化物制造方法、半导体器件、显示器件、图像显示设备和系统 

p型氧化物,其为非晶的并且由如下组成式表示:xAO·yCu2O,其中x表示AO的摩尔比例和y表示Cu2O的摩尔比例,并且x和y满足以下表达式:0≤x100且x+y=100,并且A为Mg、Ca、Sr和Ba的任一种,或者为包含选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种的混合物。
株式会社理光  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

P-型氧化物、用于制造P-型氧化物的组合物、用于制造P-型氧化物的方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置、和系统 

提供p-型氧化物,其包括氧化物,其中所述氧化物包括:Cu;和元素M,其选自p区元素,并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态,其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态,和其中所述p-型氧化物是非晶的。
株式会社理光  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物超导体、取向氧化物薄膜、以及用于制造氧化物超导体的方法 

根据一个实施方案,氧化物超导体包括取向超导体层和氧化物层。取向超导体层含有2.0×1016~5.0×1019个原子/cc的氟和1.0×1018~5.0×1020个原子/cc的碳。超导体层含有90%或更多的部分以10度或更低的面内取向度(Δφ)沿c-轴取向,并且含有LnBa2Cu3O7-x超导体材料(Ln为钇(Y),或除...
株式会社东芝  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠 

本发明提供一种包括硅-氧化物-氮氧化物-氧化物-硅结构的半导体装置及其形成方法。一般而言,该结构包含:在包括硅的基板的表面上的隧道氧化物层;多层电荷储存层,其包括该隧道氧化物层上的富氧第一氮氧化物层,其中该第一氮氧化物层的化学计算量组成导致其实质上无陷阱,及该第一氮氧化物层上的贫氧第二氮氧化物层,其中该第二氮氧化物层的...
赛普拉斯半导体公司  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应 

研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背...
《物理学报》  2013年 第03期 下载次数(92)| 被引次数(1)

砷化镓片上产生氧化物-硅-氧化物夹角 

在硅层上的砷化镓 (Ga As)片上制造光电器件出了难题 :尽管晶格常数失谐是个问题 ,各材料间热膨胀系数的巨大差异意味着即使很小的温度变化也会在许多元件上产生严重的应力。麻省理工学院的研究者说 ,使 - 族元素与硅结合的关键在于 ,考虑到光电元件厚
《激光与光电子学进展》  2000年 第03期 下载次数(23)| 被引次数(0)

氧化物阴极发射本领的提高《700℃发射达1安培/厘米~2的氧化物阴极工艺》 

引言许多超高频器件的发展,尤共是高频段超低噪声行波管与中功率低噪声行波管的发展,迫切要求氧化物阴极能在尽可能低的工作温度下有高的发射本领。氧化物阴极本是以高发射效率(工作温度
《电子管技术》  1967年 第03期 下载次数(16)| 被引次数(0)

扩散自排列金属氧化物半导体器件的进展——扩散自排列增强耗尽型金属氧化物半导体集成电路 

引言一年前,我们报导了扩散自排列金属氧化物半导体(DSA-MOS)晶体管。以前的MOS晶体管的频率特性受到源-漏间距的限制,而源-漏的间距又取决于光刻技术的精度,因此,还不能使其缩小到1微米左右。再者,即使能把间距缩得很小,但输出电压引起沟道长度调制,使输出阻抗下降到不能使用的地步。而这种DSA-MOS晶体管,...
《半导体情报》  1971年 第06期 下载次数(15)| 被引次数(0)

氧化物半导体与磁性氧化物的MOCVD生长与性质 

自旋电子学作为新兴的研究领域,通过控制电子的自旋取代电子电荷作为信息储存和传输的载体,可以提高自由度同时不受尺寸限制,具有广泛的应用前景。基于自旋注入结构实现偏振光发射的自旋发光二级管(spin-LED)的研究受到了较多的关注,而磁性氧化物与宽禁带氧化物半导体作为有望实现全氧化物spin-LED器件的两种主要材料而备受...
南京大学  博士论文  2014年 下载次数(12)| 被引次数(1)

铪铝氧化物复合绝缘介质薄膜及高迁移率锌铟锡氧化物薄膜晶体管的研究 

近年来,基于透明氧化物半导体的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)因其高透光率,高迁移率并在未来平板显示领域中有着潜在应用的特点而受到人们的广泛关注。目前,大部分TFT均是采用真空方法制备的,并且获得了良好的性能。但采用真空法制备TFT器件会有很多缺点。以磁控溅射制备TFT为例,其存在着制备工...
上海大学  硕士论文  2015年 下载次数(156)| 被引次数(0)

共找到相关记录3176条12345678910下一页