金属氧化物被膜用涂布液的制造方法、金属氧化物被膜用涂布液以及金属氧化物被膜 

本发明提供一种不伴随溶剂置换工序,即使低温烧成也可得到充分硬度,且在柔板印刷法中具有良好的印刷性、面内均匀性的金属氧化物被膜用涂布液的制造方法,由该方法制造的金属氧化物被膜用涂布液以及金属氧化物被膜。该金属氧化物被膜用涂布液的制造方法具备以下工序:使第1金属醇盐在金属盐和有机溶剂的存在下水解得到第1工序的溶液的第1工序...
日产化学工业株式会社  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

基质氧化物对热化学反应型氧化物陶瓷涂层耐蚀性的影响 

采用热化学反应法分别以Al2O3和SiO2为基质氧化物在850℃下制备陶瓷涂层,通过对陶瓷涂层的物相分析,热震性能测试、致密性以及耐蚀性测试分析比较,确定两种基质氧化物对陶瓷涂层性能影响。结果显示:经热固化后两种涂层均产生了大量新相,增加了涂层的抗热震性能的同时新相本身具有的化学稳定性使涂层的耐酸、碱、盐能力不同程度上...
《热加工工艺》  2012年 第08期 下载次数(81)| 被引次数(2)

络合溶胶-凝胶法制备氧化物弥散强化12Cr钢中氧化物的形成机制 

以乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂,采用EDTA络合溶胶-凝胶法向氩气雾化制备的预合金粉末中添加Y2O3,复合粉通过热等静压致密化,锻造后固溶处理,制得化学成分为Fe-12Cr-2.5W-0.25Ti-0.2V-0.4Y2O3(0.4Y2O3/12Cr,质量分数,%)的氧化物弥散强化(ODS)铁素体钢(12Cr)。采用...
《复合材料学报》  2011年 第04期 下载次数(193)| 被引次数(5)

铝氢氧化物氧化物晶粒的热液法制备及其形成机理 

系统地研究了热液条件下铝氢氧化物和氧化物晶粒的物相、生长形态与反应条件的关系 ,并以负离子配位多面体生长基元模型为基础 ,通过生长基元稳定能计算 ,研究了这类晶体的形成过程 .
《中国科学E辑:技术科学》  1998年 第02期 下载次数(270)| 被引次数(43)

氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体 

一种氧化物薄膜,其包含Nb、Mo、O,其特征在于,Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8,O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5<O/(Nb+Mo)<2.0。另外,一种氧化物烧结体,其包含Nb、Mo、O,其特征在于,Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤...
捷客斯金属株式会社  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

制造金属氧化物膜的方法和包括金属氧化物膜的显示装置 

提供了一种制造金属氧化物膜的方法以及一种包括该金属氧化物膜的显示装置。所述制造金属氧化物膜的方法包括:将反应气体和金属前驱体注入室中;在等离子体OFF状态下,在基底上形成第一金属前驱体膜;在等离子体ON状态下,通过使第一金属前驱体膜氧化来形成第一子金属氧化物膜;在等离子体OFF状态下,在第一子金属氧化物膜上形成第二金属...
三星显示有限公司  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

非晶质氧化物半导体膜、氧化物烧结体以及薄膜晶体管 

一种氧化物烧结体,含有In2O3晶体以及晶体A,所述晶体A在利用X射线即Cu-Kα射线衍射测量观测到的、由下述(A)~(F)表达的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰,31.0°~34.0°…(A)36.0°~39.0°…(B)50.0°~54.0°…(C)53.0°~57.0°...
出光兴产株式会社  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶 

一种氧化物半导体膜,其特征在于,以满足下述式(1)~(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn,0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3),并且,以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al,0.05≦A...
出光兴产株式会社  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 

本发明提供一种氧化物溅射靶,其由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成,所述氧化物溅射靶的特征在于,靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15%以下。
三菱综合材料株式会社  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法 

本发明公开了一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法,通过在衬底基材跟氧化物薄膜之间引入界面层,通过界面层材料跟氧化物晶格失配度之间的关系,当氧化物发生相变的同时,同时受到衬底基材和界面层的应变;通过控制界面层的厚度,进而控制其应力释放的程度,能够获得特定晶体结构的氧化物薄膜;通过界面层的设置,突破了单一衬底提供固定...
华南师范大学  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

原位合成片状金属氢氧化物/氧化物复合材料的制备方法 

本发明涉及一种原位合成片状金属氢氧化物/氧化物复合材料的制备方法,包括下列步骤:制备多成分合金箔片,原子数百分比为CuxNi30#xMn70,其中,x的数值范围为0~30;制备多成分纳米多孔金属;纳米多孔金属的孔结构调节;在纳米多孔...
天津大学  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

LaxTiyOz氧化物、包含该LaxTiyOz氧化物的复合材料及其制备方法 

本发明公开了一种LaxTiyOz氧化物,以及包含该LaxTiyOz氧化物的复合氧化物涂层,LaxTiyOz氧化物为非晶态;或者为LaTi3O49、La0.66TiO2.993、La2Ti6O5、La2Ti3O9、La5Ti5O17、La2TiO5、La4Ti9O24、La2Ti2O7和La4Ti3O12中的一种或任意几...
东南大学  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

金属氧化物膜形成用涂布剂及具有金属氧化物膜的基体的制造方法 

本发明提供含有与N,N#二甲基乙酰胺(DMA)、N#甲基吡咯烷酮(NMP)不同的有机溶剂、且保形涂布性优异的金属氧化物膜形成用涂布剂及具有金属氧化物膜的基体的制造方法。金属氧化物膜形成用涂布剂,其含有溶剂和金属,溶剂含有下述的式(1)表示的化合物(A)。式(1)中,R1及R2...
东京应化工业株式会社;株式会社JCU  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 

一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm#2eV#1的区域。
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、以及薄膜晶体管 

本发明提供一种氧化物半导体靶材,其由氧化物烧结体形成,所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量%~0.2质量%的铝,且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量%。
日立金属株式会社  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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