铁黄氢氧化物颗粒及其制备方法 

本发明提供了铁黄氢氧化物颗粒,包括:作为核的铁氧化物氧化物颗粒,和沉积在所述的作为核的铁氧化物氧化物颗粒表面上的Fe和Al的复合氧化物氧化物,还提供了生产这种颗粒的方法以及这种颗粒在颜料、油漆和橡胶或树脂组合物方面的用途。
户田工业株式会社  中国专利  1999年 下载次数(2)| 被引次数(0)

典型纳米金属氧化物对厌氧颗粒污泥体系的影响及作用机制 

近些年来,随着纳米材料产量及应用范围的日益扩大,人们开始逐渐关注其对人类健康及生态系统的潜在风险。污水处理系统作为纳米颗粒进入天然环境的最后―屏障‖,其中所包含的大量微生物将可能直接暴露在纳米颗粒下,进而对污水生物处理效能产生影响。因此,本课题以目前使用量最大的纳米材料类别——纳米金属氧化物为研究对象,考察了不同环境条...
哈尔滨工业大学  博士论文  2017年 下载次数(190)| 被引次数()

氧化物吸持腐殖酸对AsO_4~(3-)、Hg~(2+)次级吸附行为的影响研究 

腐殖酸和铁氧化物广泛存在于自然环境,是地球环境中极其重要的两种天然胶体物质,可以通过静电吸附、络合、阳离子桥键等不同的机制吸持有机、无机污染物,从而影响污染物的迁移转化、赋存形态、环境毒性和生物有效性,因而铁氧化物和腐殖酸对污染物环境行为的影响及其机理,长期以来一直是环境地球化学的研究热点。汞和砷是两种环境危害极大的重...
西南大学  博士论文  2015年 下载次数(779)| 被引次数(10)

纳米氧化物表面改性与分散技术及其在高分子摩擦材料中的应用 

纳米摩擦学是九十年代以来摩擦学基础研究领域最活跃也是材料科学与摩擦学交叉领域最前沿的分支学科之一,但纳米粒子能否在复合材料中发挥作用与其界面作用和分散行为密切相关。本课题采用接枝法在纳米氧化物表面形成聚合物修饰层,利用修饰层的空间位阻效应提高纳米粒子在高分子基体中的分散稳定性,从而制备高分散低填充纳米复合材料,以期获得...
南京理工大学  博士论文  2005年 下载次数(2024)| 被引次数(22)

阴极保护用金属氧化物阳极研究 

针对大型海洋船舶阴极保护工程的需要,开展了金属氧化物阳极材料、大排流量辅助阳极组件的研究,并进行了实海模拟试验。该工作对阴极保护用辅助阳极的发展和应用、对我国大型船舶阴极保护技术水平的提高具有非常积极的意义。通过本研究工作,主要取得了如下的成果: 系统地研究了铱钽氧化物阳极...
天津大学  博士论文  2005年 下载次数(975)| 被引次数(10)

铁锰氧化物/水界面有机污染物的氧化降解研究 

为了了解自然环境特别是自然水体环境中有机污染物的环境化学行为,本论文利用自然界中本身存在且含量较高的铁锰氧化物来降解目标有机污染物2-硫醇基苯骈噻唑(2-Mercaptobenzothiazole,MBT),以期在深入研究铁氧化物—草酸体系和锰氧化物对MBT的氧化降解机制和各种因素对降解影响的基...
中国科学院研究生院(广州地球化学研究所)  博士论文  2007年 下载次数(1777)| 被引次数(17)

氧化物催化剂的制备及其催化性能研究 

本文分别采用沉淀法和氨基乙酸燃烧法制备锰氧化物,运用仪器分析方法对锰氧化物晶体结构及微观形貌进行表征研究,通过间苯二酚降解实验对锰氧化物催化氧化性能进行研究。 锰氧化物的沉淀法制备:分别以氨水和碳酸钠为沉淀剂,以Mn(NO3)2为锰源,采用沉淀法制备锰氧化物前驱体,在程控箱式电炉中于550℃下焙烧4h,研磨得到锰...
南昌航空大学  硕士论文  2014年 下载次数(762)| 被引次数(3)

半导体装置 

本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置,其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu#X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置,包括:设置在驱动电路部中的第一晶体管;以及设置在像素部中的第二晶体管,其中,第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外,第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管,被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外,在`#~氧化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外,提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外,提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中,该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一`#~氧化物...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜,可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外,通过作为与`#~氧化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种提升增益变化范围的低温度系数可变增益放大器 

本发明公开了一种提升增益变化范围的低温度系数可变增益放大器,包括可变增益电路、交叉耦合温度补偿电路和增益控制电路,可变增益电路根据输入信号强度调整电路增益以稳定输出功率,采用负电阻作为源极退化电阻构成正反馈以提升输入跨导级的跨导电流效率,由二极管连接的晶体管对和交叉耦合连接的晶体管对构成有源负载,在差模信号的情况下,交...
东南大学  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中,在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构,可以当形成第二`#~氧化物`...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

制造半导体器件的方法 

本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中,形成无定形氧化物半导体膜,向所述无定形氧化物半导体膜加入氧,这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后,在所述无定形...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中,包括其能隙彼此不同的至少两个氧化物半导体层的氧化物半导体堆叠层用作半...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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