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A
Semiconductor
Position Sensitive Detector Fabricated by Ion Implantation Technique
Ａ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ￥ＴａｎＪｉｌｉａｎ；ＬｉＣｕｎｆａｎａｎｄＢａｏＺｈｉｑｉｎＡｒｅｓｉｓｔａｎｃ...
《1994 Annual Report of Institute of Modern Physics,th…》 1994年 第00期
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带电粒子半导体探测器测试方法
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中国标准 1983年
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半导体辐射探测器和闪烁计数试验方法术语的定义
IEC/TC 45 国外标准 1978年
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锗半导体伽马射线能谱测定用低温器端盖尺寸
IEEE 国外标准 1987年
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电离辐射半导体探测器用放大器和前置放大器的试验程序
This standard covers amplifier and preamplifier systems with linear pulse-shaping networks for use with
semiconductor
, scintillation, and proportional det...
IEEE 国外标准 1988年
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国外标准 1978年
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核仪表.半导体带电粒子探测器.试验程序
This document applies to
semiconductor
radiation detectors which are used for detection and high-resolution spectroscopy of charged particles. The measure...
国外标准 1995年
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半导体X射线能谱仪的标准试验程序
Such systems consist of a
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radiation detector assembly and signal processing electronics interfaced to a pulse-height analyzer/computer. Test...
IEC/TC 45 国外标准 1983年
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核仪器 半导体带电粒子探测器 试验程序
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离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程
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电离辐射的宽能隙半导体探测器的分辨率和能效用测量规程用美国国家标准
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Cold Trap
In higher vacuum field, one of the main factors of affecting the degree of vacuum is the pollution of vacuum pump oil,which is mainly caused by the back-stre...
《IMP & HIRFL Annual Report》 2005年 第00期
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Design and Fabrication of Silicon Carbide
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《Annual Report of China Institute of Atomic Energy》 2015年 第00期
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半导体X射线能谱仪的测试方法
本标准规定了半导体X射线能谱仪的主要测试方法,并对有关的术语作了说明。 本标准适用于由半导体探测器、前置放大器、放大器、脉冲幅度分析器、计算机组成的半导体X射线能谱仪。但是脉冲幅度分析器和计算机的测试方法不包括在本标准内。
中国标准 1989年
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