半导体制造业多目标中期生产计划优化模型研究 

半导体制造业作为全球发展最快最先进的行业之一,其领导和充分利用最新的科技成果,是一个高风险与高利润并存的资本集中产业,其行业市场变化剧烈,机会稍纵即逝。半导体制造是一个流程高度复杂,资本高度密集的加工过程。随着半导体制造业的发展壮大,新的产业特点不断呈现,其产品种类繁多且生命周期不断缩短、多工厂、工序繁琐、物料清单复杂...
西南交通大学  硕士论文  2011年 下载次数(184)| 被引次数(3)

热传导型半导体瞬态问题的数值解法和分析 

随着现代化技术的日益提高,半导体器件的数值模拟对于推动半导体技术的发展具有十分重要的意义,本文所研究的热传导型半导体瞬态问题的数学模型为:第一个方程为椭圆型的电子位势方程,第二和第三个分别为关于电子和空穴浓度的对流扩散方程,最后一个为关于温度的热传导方程,这里未知函数为{ψ,e,p,T},电子位势通过电场强度在电子、空...
山东大学  博士论文  2006年 下载次数(233)| 被引次数(0)

A theory of coherent propagation of light wave in semiconductor 

In this paper,we suggest a theory to describe the phenomena which arise from theinteraction between semiconductor and coherent light.Our work is presented in...
《激光》  1980年 第Z1期 下载次数(6)| 被引次数(0)

NUMERICAL METHOD OF MIXED FINITE VOLUME-MODIFIED UPWIND FRACTIONAL STEP DIFFERENCE FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSIENT BEHAVIOR PROBLEMS 

Transient behavior of three-dimensional semiconductor device with heat conduction is described by a coupled mathematical system of four quasi-linear partial dif...
《Acta Mathematica Scientia(English Series)》  2017年 第01期 下载次数(15)| 被引次数(2)

THE CHARACTERISTIC MIXED METHOD FOR THE TRANSIENT BEHAVIOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 

The transient behavior of a semiconductor device is described by a system of three quasilinear partial differential equations: one elliptic in form for the ...
《Chinese Science Bulletin》  1992年 第04期 下载次数(5)| 被引次数(0)

ASYMPTOTIC BEHAVIOR OF TIME-DEPENDENT SOLUTIONS TO SEMICONDUCTOR EQUATIONS 

1IntroductionInthispaper,westudythefolowingsystemofsemiconductoreuqationswithmixedinitialboundaryvalueuit-divJi=-R(u),i=1,...
《Annals of Differential Equations》  1998年 第02期 下载次数(12)| 被引次数(0)

半导体方程研究进展介绍 

本文是一篇综述性文章,简要地介绍了近十几年来关于半导体方程的研究进展情况。半导体方程主要研究的是半导体器件中载流子运动的数学模型,目前通常采用漂移-扩散模型,它是由非线性椭圆-抛物型偏微分方程耦合而成。 本文分为五部分,第一部分介绍了半导体方程对数学领域的影响及其实用价值。第二、三、四、五部分,将...
吉林大学  硕士论文  2009年 下载次数(131)| 被引次数(0)

A Mixed-finite Volume Element Coupled with the Method of Characteristic Fractional Step Difference for Simulating Transient Behavior of Semiconductor Device of Heat Conductor And Its Numerical Analysis 

The mathematical system is formulated by four partial differential equations combined with initialboundary value conditions to describe transient behavior of th...
《Acta Mathematicae Applicatae Sinica》  2017年 第04期 下载次数(10)| 被引次数()

Selective thermal oxidation of gallium arsenide——A new technology for GaAs-GaAlAs strips DH lasers and semiconductor integrated optics 

The III-V compound GaAs is one of the most important substrate materials for semi-conductor lasers and integrated optics,and the new techniques for processin...
《激光》  1980年 第Z1期 下载次数(9)| 被引次数(0)

ON EXISTENCE, UNIQUENESS AND REGULARITY OF STEADY STATE SOLUTIONS TO THE BASIC SEMICONDUCTOR EQUATIONS 

ONEXISTENCE,UNIQUENESSANDREGULARITYOFSTEADYSTATESOLUTIONSTOTHEBASICSEMICONDUCTOREQUATIONSWangYuanming(王元明)FanJishan(樊继山)(Dept...
《Acta Mathematica Scientia》  1995年 第02期 下载次数(10)| 被引次数(1)

压电半导体杆中的机械场、电场与载流子分布研究(英文) 

目的:导出两端自由压电半导体杆在自平衡状态下内部的位移、电场和载流子的解析表达式,研究它们在杆内的分布规律。方法:从三维压电半导体基本方程出发,以n-型半导体为例,导出考虑拉伸变形模式的一维模型方程。由平衡方程和电学高斯方程和平衡态下杆内电流为零的条件得到以电场为未知函数一阶非线性偏微分方程,再利用两端自由的边界条件解...
《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Phy…》  2016年 第01期 下载次数(99)| 被引次数(7)

非线性半导体Boltzmann方程的Cauchy问题 

本文研究半导体中的非线性Boltzmann方程.在假设碰撞核s(k,k′)∈W_(1,∞)情况下,在Soblev空间中讨论了Cauchy问题解的存在性与唯一性.
《应用数学》  2007年 第S1期 下载次数(23)| 被引次数(0)

STUDIES ON STRESS CHANGES WITH ANNEALING TEMPERATURE FOR AMORPHOUS SEMICONDUCTOR a-Si:H/a-SiN_x:H MULTILAYER FILMS 

In recent years, amorphous semiconductor multilayer films or superlattices have aroused exceeding interest. Amorphous multilayer structure has the advantage...
《Science Bulletin》  1988年 第10期 下载次数(6)| 被引次数(0)

Backward Time Difference Collocation Method and Error Analysis for the Semiconductor Problem 

Collocation method is put forward to solve the semiconductor problem with heat-conduction, whose mathematical model is described by an initial and boundary ...
《Northeastern Mathematical Journal》  2003年 第01期 下载次数(13)| 被引次数(0)

RESEARCH FOR SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITION IN Sr_xLa_(1-x)CuO_3 SYSTEM BY POSITRON ANNIHILATION TECHNIQUE 

In high temperature oxide superconductors, such as Sr-La-Cu-O,Ba-Y-Cu-O, there is a phase transition from semiconductor to metal as the composition changes ...
《Chinese Science Bulletin》  1989年 第08期 下载次数(6)| 被引次数(0)

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