Si衬底上GaN基LED外延材料的两步法生长 

发光二极管(Light-emitting diode,LED)具有高效、节能、环保、寿命长等特点,已被广泛应用于交通指示、建筑装饰、显示照明等诸多领域。目前,商用LED大多基于蓝宝石衬底上外延生长的III族氮化物材料——GaN。然而,蓝宝石热导率较低、大尺寸衬底制备困难,限制了LED往“高性能、大功率、低成本”的方向发...
华南理工大学  博士论文  2018年 下载次数(232)| 被引次数()

GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究 

自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍应用于光、声、电等器件领域。在Ⅲ族氮化物半导体光电器件中,GaN基发光二极管(LED)的广泛应用,开创了半导体照明的新纪元。...
山东大学  博士论文  2017年 下载次数(1509)| 被引次数(6)

高效大功率LED外延片用蓝宝石图形衬底的制备及其评价 

白光照明用GaN基高效率大功率LED,近年来引起了人们研究的广泛关注,是未来LED产业的发展趋势。蓝宝石图形衬底,可有效降低其上GaN外延薄膜的穿透位错密度,同时提升GaN基LED的光提取效率。为了克服当前湿法和干法刻蚀制备图形化蓝宝石衬底面临的诸多问题,本文首先采用电子束光刻技术制备图形化Al薄膜,接着进行固相反应,...
哈尔滨工业大学  博士论文  2014年 下载次数(797)| 被引次数(1)

高效氮化物LED异质结构设计与量子效率提升研究 

该报告围绕大失配异质体系的应力调控和外延生长动力学这一重要科学问题,从基于图形衬底外延成核入手,研究了大失配外延的成核机理,外延掺杂机理,优化了Ga N基蓝光量子阱LED的外延结构生长和设计,提出了新型掺杂技术,进而有效提高了Ga N LED结构材料的内量子效率;此外,围绕Ga N LED结构体系的载流子输运和复合机制...
《科技创新导报》  2016年 第09期 下载次数(41)| 被引次数(0)

High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system 

A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitax...
《半导体学报》  2011年 第03期 下载次数(233)| 被引次数(8)

MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文) 

使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到有效的降低。与此同时,外延片的波...
《人工晶体学报》  2015年 第12期 下载次数(141)| 被引次数(0)