抗穿通离子注入工艺偏差对NMOSFET器件性能影响的研究 

在已规模化生产的互补金属氧化物半导体中实际起作用的沟道区域是工艺特性和发展的关键区域,以在此沟道中复杂的横向和纵向掺杂形态为特色的先进的离子注入应用被要求以使得亚微米晶体管成为主流产品。抗穿通离子注入正是它最好的例子。 超浅结器件正对离子束角度性能日益敏感,在抗穿通离子注入中离子的发散和偏斜影响能够极...
上海交通大学  硕士论文  2007年 下载次数(165)| 被引次数(0)

High-voltage 4H-SiC PiN diodes with the etched implant junction termination extension 

This paper presents the design and fabrication of an etched implant junction termination extension(JTE)for high-voltage 4H-SiC PiN diodes. Unlike the convention...
《Journal of Semiconductors》  2017年 第02期 下载次数(52)| 被引次数(1)

Effects of a carbon implant on thermal stability of Ni_(0.95)(Pt_(0.05))Si 

The effects of a carbon implant on thermal stability of Ni0:95(Pt0:05/Si films are investigated by implanting carbon of different doses into Si substrates befor...
《Journal of Semiconductors》  2015年 第06期 下载次数(27)| 被引次数(0)

Small-Space Microphone Array Fractional Delay Algorithm Based on FIR Filter for Cochlear Implant 

Directional speech enhancement of signals from microphone arrays is an effective way to improve speech recognition for cochlear implant users.The strict implant...
《Tsinghua Science and Technology》  2011年 第01期 下载次数(94)| 被引次数(6)

金属源漏多晶硅TFT及非晶IGZO TFT的特性研究 

本论文的研究内容主要包括两个部分,即金属源漏多晶硅(poly-si)TFT的载流子输运机制研究及非晶(a-)IGZO TFT的特性表征。 (1)金属源漏poly-Si TFT的载流子输运机制 通过对两种金属源漏poly-Si TFT的特性研究,包括金属替代结TFT和自对准金属电极TFT,我们基于掺杂调制...
苏州大学  硕士论文  2013年 下载次数(465)| 被引次数(0)

边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响(英文) 

就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路,但是在有源扩展区部分,由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背...
《电子器件》  2006年 第04期 下载次数(77)| 被引次数(0)

55纳米工艺节点中离子注入层的光学临近效应修正 

集成电路制造技术中,传统的光学临近效应修正都是基于平坦化衬底的。针对离子注入层的包括有源区、浅槽隔离区和栅极的复杂结构,一直是以近似平坦化的办法来修正光学临近效应的。这样做会导致离子注入层图形尺寸同原始设计产生偏差甚至产生光刻工艺缺陷。本文阐述了一套针对离子注入层的混合式光学临近效应修正方法。通过模型式的修正办法来补偿...
上海交通大学  硕士论文  2017年 下载次数(20)| 被引次数()

Thermal Analysis of Implant-Defined Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array 

A three-dimensional electrical-thermal coupling model based on the finite element method is applied to study thermal properties of implant-defined vertical cavi...
《Chinese Physics Letters》  2015年 第01期 下载次数(5)| 被引次数(0)

Implant Compositional Disordering on InGaAs/InP MQW Structures 

ImplantCompositionalDisorderingonInGaAs/InPMQWStructures¥ZHAOJie;LIUBaojun;WANGYufang;WANGYuongchen;ThompsonDA(TianjinNormalU...
《Semiconductor Photonics and Technology》  1996年 第01期 下载次数(3)| 被引次数(0)

空气喷磨机去除窝沟龋的扫描电镜观察 

使用美国空气喷磨机(KCP1000),选用27μm颗粒、8.268×105Pa(120psi)气压、喷磨时间5~10s作为实验参数喷除新鲜离体人牙面窝沟龋。扫描电镜观察显示:KCP去龋干净,形成的釉质窝洞线角及洞缘圆钝,洞底粗糙不平,呈密集、不规则的凹凸状结构。实验结果提示KCP能有效去除窝沟龋,产生的形态学改变特别...
《华西口腔医学杂志》  1996年 第02期 下载次数(37)| 被引次数(2)