用于紫外光探测器的TiO_2及其复合氧化物的结构和光学性质研究 

紫外光探测器无论在军用还是在民用上都有重要的应用价值,所以引起人们的极大关注。近年来,随着材料制备技术的发展而迅速发展。目前研究较多的是宽禁带半导体GaN基紫外光探测器,并且取得了大的进展。基于宽禁带半导体ZnO材料的紫外光探测器也受到的很大的关注。TiO2是一种宽禁带半导体,它不但具有很好的物理和化学性质,而且具备较...
吉林大学  博士论文  2004年 下载次数(496)| 被引次数(2)

关联氧化物薄膜体系的新物性及离子液体电场调控的研究 

随着电子信息产业的飞速发展,传统半导体产业由于摩尔定律的终结及功耗问题面临着巨大挑战。关联氧化物体系作为电子学发展的前沿领域备受关注,它主要利用新的材料体系及其人工微结构的设计,探索新的物理原理来制备新型的低功耗电子器件,从而为电子信息产业的持续发展带来新的机遇。过渡金属氧化物由于同时拥有电荷、...
南京大学  博士论文  2018年 下载次数(325)| 被引次数()

氧化物TFT陷阱态分布(DOS)提取研究及应用 

氧化物薄膜晶体管(TFT)具有迁移率高、均匀性好、透明度高、制备温度低、工艺兼容性好等优势。随着平板显示产品向大尺寸、全高清、轻薄化、柔性化方向发展,氧化物TFT逐渐成为最潜力的有源驱动显示技术之一,尤其在有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示的应用。而氧化物TFT有源层的界面和...
华南理工大学  硕士论文  2018年 下载次数(121)| 被引次数()

基于石墨烯氧化物光还原技术的石墨烯电子器件制备与性能研究 

2004年底英国曼彻斯特大学的A.K.Geim等人将石墨削成碎片,并通过反复撕扯得到了单原子层厚度的二维碳晶体,将其命名为石墨烯(Graphene)。随后的研究者发现石墨烯具有很多奇特的性质,如高载流子迁移率(大于10~4cm~2/V·s)、耐酸碱、物理、化学稳定性、柔性、超强的机械强度、异常的室温下的整数量子霍尔效应...
吉林大学  博士论文  2018年 下载次数(346)| 被引次数()

金属氧化物薄膜晶体管器件的稳定性研究 

薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是场效应晶体管的一种,其制作方法是在衬底基板上沉积各种功能薄膜叠加而成,如绝缘层、半导体有源层及金属电极层。薄膜晶体管是液晶和有源矩阵有机发光二极管显示器的核心部件,其对显示器件的工作性能起到至关重要的作用。薄膜晶体管的背板技术中,非晶硅TFT迁移率较低,...
华南理工大学  博士论文  2014年 下载次数(2637)| 被引次数(14)

反熔丝存储器单元 

一种具有可变厚度栅极氧化物的反熔丝存储器单元。所述可变厚度栅极氧化物通过以下步骤形成:在反熔丝晶体管的沟道区上沉淀第一氧化物;从沟道区的薄氧化物区移除第一氧化物;以及然后在薄氧化物区热生长第二氧化物。剩余的第一氧化物限定沟道...
赛鼎矽公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法 

本发明公开一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法,在晶圆上完成氧化物氮化物氧化物薄膜的生长工艺后即进行本检测方法;该方法包含:1、从晶圆加工腔中取出分别位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆;2、分别对位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆上生长的氧化物氮化...
上海宏力半导体制造有限公司  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

溶液加工氧化物薄膜晶体管器件研究 

薄膜晶体管(TFT),作为实现电信号处理、控制与传输功能的基础元器件,广泛应用于平板显示、柔性电子和智能电子等新兴领域。氧化物TFT由于具有较高的载流子迁移率(1-100cm~2V~(-1)s~(-1))、对可见光透明、大面积均匀性好等优势而在过去的十几年间引起了广泛关注。目前,以IGZO(indium-g...
华南理工大学  博士论文  2019年 下载次数(57)| 被引次数()

半导体装置及其制造方法 

本申请提供一种半导体装置及其制造方法。实施方式涉及显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。实施方式涉及制造高可靠性半导体装置。其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层,与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

提供一种显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。制造高可靠性半导体装置。其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层,与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层,与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101),半导体层(7)具有层叠结构,该层叠结构包含:第1氧化物半导体层(71),其包含In和Zn,第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1`#~氧化物`@...
夏普株式会社  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

可用于柔性光电子器件的薄膜晶体管研究 

大面积柔性化光电子领域的发展亟需要新型半导体材料,这类半导体材料需满足良好的机械柔性,并且电学性能要高于传统的非晶硅半导体。与传统的硅基半导体和其他的III-V族系列半导体相比,有机半导体材料有着非常良好的机械柔性,但电学性能和稳定性方面存在着较大问题。而金属氧化物半导体材料由于其高迁移率(μ,1–100 ...
电子科技大学  博士论文  2015年 下载次数(1171)| 被引次数(6)

一种金属氧化物叠层场效应电极 

本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜,金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV;第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV;第三金属氧化物薄膜材料的...
云南大学  中国专利  2019年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置 

提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二`#~...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种金属氧化物叠层场效应电极 

本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜,金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV;第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV;第三金属氧化物薄膜材料的...
云南大学  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

共找到相关记录14261条12345678910下一页