高中物理电学中电路器件的选择分析 

随着社会经济的快速发展,社会对基础教育的要求随之提升。在以往理论知识扎实的基础上提出提升实践能力的新要求,作为高中物理重要部分的电学更是成为提升学生实践能力的重要部分。由于电路与器件的选择直接影响是否可以顺利进行电学实验,所以如何高效、准确的选择电路器件尤为重要。本文结合作者经验针对电学中电路与器件的选择进行分析与研究...
《高考》  2020年 第12期 下载次数(1)| 被引次数(0)

集成电路器件及其制造方法 

本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中,电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜,以减少电介质膜中产生的缺陷密度,改善泄漏电流,并减小等效氧化物厚度。
三星电子株式会社  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

集成电路器件 

本发明公开一种集成电路器件,其包括:下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构,该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括:第一电介质层,包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒;以及第二电介质层,包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平...
三星电子株式会社  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

本申请涉及半导体器件。功率控制器件可靠地断开故障输出晶体管的电流路径。具体地,功率控制器件包括输出晶体管、输出端子、将输出晶体管连接到输出端子的键合导线、控制输出晶体管的输出的输出晶体管驱动电路以及检测输出晶体管的故障的故障检测电路。当故障检测电路...
瑞萨电子株式会社  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

集成电路器件及其制造方法 

一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错并在平行于基板的主表面的水平方向上延伸,并且在垂直方向上彼此重叠。沟道孔在垂直方向上穿过字线结构和绝缘结构。电荷捕获图案位于沟道孔中,并在垂直方向上彼此间隔开而使局部绝缘区域在其间。
三星电子株式会社  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种像素结构及其驱动方法、显示面板及显示装置 

本发明公开了一种像素结构及其驱动方法、显示面板及显示装置,至少包括两个相同的像素电路:第一像素电路和第二像素电路,还包括用于连接第一像素电路和第二像素电路的第一导通控制模块、第二导通控制模块和第三导通控制模块;在该像素结构用于显示时,第一导通控制模块和第二导通...
京东方科技集团股份有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

柔性电子设备 

本发明实施例提供一种柔性电子设备。柔性电子设备包括设备基体,设备基体包括第一部分、第二部分、及可弯折部分;可弯折部分包括第一转轴、及柔性电路板;第一部分包括具有第一差分端子和第二差分端子的通信模块、巴伦器件及第一金属线,柔性电路板包括第二金属线,第二部分包括第三金属线;第一差分端子和...
珠海市魅族科技有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

柔性电子设备 

本发明实施例提供一种柔性电子设备。柔性电子设备包括设备基体,设备基体包括第一部分、第二部分、及可弯折部分;所述第一部分包括具有第一差分端子和第二差分端子的通信模块、巴伦器件及第一金属线,所述第一差分端子和第二差分端子连接到巴伦器件;所述第一金属线的一端电连接所述巴伦器件的第一输出端,...
珠海市魅族科技有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

柔性电子设备 

本发明实施例提供一种柔性电子设备,其包括设备基体,所述设备基体包括第一部分、第二部分、及可弯折部分;所述可弯折部分包括第一转轴、及柔性电路板;所述第一部分包括具有第一差分端子和第二差分端子的通信模块、巴伦器件、及第一金属线;所述柔性电路板包括第二金属线,所述第一差分端子和第二差分端子...
珠海市魅族科技有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

柔性电子设备 

本发明实施例提供一种柔性电子设备。所述柔性电子设备包括设备基体,设备基体包括第一部分、第二部分、及连接于第一部分与第二部分之间的可弯折部分;可弯折部分包括第一转轴、及柔性电路板,第一部分包括通信模块、第一金属线、及第二金属线,柔性电路板包括第三金属线,第二部分包括第四金属线;第一金属线的一端电连...
珠海市魅族科技有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

包括栅极间隔物结构的集成电路器件 

一种集成电路器件包括在基层上的栅极堆叠结构以及在栅极堆叠结构的相反侧壁上且在基层上的栅极间隔物结构,栅极堆叠结构具有栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅极结构,栅极绝缘层具有在基层上并具有第一相对电容率的第一电介质层,栅极间隔物结构包括位于基层上的掩埋在位于栅极间隔物结构的下部处的栅极绝缘层的凹陷孔中的掩埋电介质...
三星电子株式会社  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

钴互连件技术 

本发明的一些实施例涉及一种制造集成电路器件的方法。在该方法中,在衬底上方形成介电层。介电层包括布置在介电层内的开口。沿着开口的底部和侧壁表面形成第一钴衬垫。在第一钴衬垫的暴露的表面上形成阻挡衬垫。在开口中并且在阻挡衬垫上方形成块状钴层以填充开口的剩余空间。本发明实施例涉及钴互连件技术。
台湾积体电路制造股份有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

故障安全电路、集成电路器件及控制电路的节点的方法 

本公开涉及故障安全电路、集成电路器件及控制电路的节点的方法。电路包括:参考节点,被配置为承载参考电压电平;第一节点,被配置为承载具有第一电压电平的信号和参考电压电平;第二节点,被配置为承载在通电模式中具有电源电压电平并且在断电模式中具有参考电压电平的电源电压;以及多个晶体...
台湾积体电路制造股份有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

基准电压发生器电路和电子系统 

本申请涉及分数带隙基准电压发生器。一种基准电压发生器电路,包括:电路,该电路生成与绝对温度互补的(CTAT)电压以及绝对温度成比例型(PTAT)电流。输出电流电路从该PTAT电流中生成从第一节点灌入的灌PTAT电流以及被拉至第二节点的拉PTAT电流,其中,该灌PTAT电流...
意法半导体国际有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的三栅极晶体管结构 

讨论了涉及具有MOSFET的集成电路的技术、结合有这样的集成电路的系统、以及用于形成它们的方法,所述MOSFET具有非凹陷的场绝缘体和IC的场绝缘体上方的较薄电极。
英特尔公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

共找到相关记录2855条12345678910下一页