典型集成电路的电磁干扰效应研究 

随着电子电路的高速发展,集成电路由于其具有体积小、重量轻、功耗小、特性好、高密度集成等许多分立元件电路无法比拟的优点,在各类电路设计中得到了越来越广泛的运用。众所周知,我们的空间电磁环境日益复杂,集成电路器件越来越多的受到外界电磁的干扰。因此,集成电路在实际运用中的抗电磁干扰性成为了研究热点。为研究电磁脉冲对典型集成电...
华北电力大学(北京)  硕士论文  2016年 下载次数(212)| 被引次数(1)

电路器件中的动态时序调整 

一种方法,包括确定代表在第一时刻电路器件的操作速度的第一操作特性(502)。该方法进一步包括在电路器件的第一锁存器的输入端接收输入信号(504)并且在电路器件的第二锁存器的输入端接收输出信号(506)。该方法另外包括通过第一延迟来延迟时钟信号以...
飞思卡尔半导体公司  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

形成二次电池的保护电路模块的方法 

公开了一种形成二次电池的保护电路模块的方法。该方法包括将晶粒型电路器件安装到FPCB。所述电路器件的安装包括通过引线接合将所述电路器件接合至所述FPCB。所述方法可以进一步包括在所述FPCB上形成保护层以覆盖所述电路器件。所述保护层可以通过在所述FPCB上涂覆...
三星SDI株式会社  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件封装件和方法 

在实施例中,一种方法包括:堆叠多个第一管芯以形成器件堆叠件;暴露器件堆叠件的最顶部管芯的测试焊盘;使用最顶部管芯的测试焊盘测试器件堆叠件;以及在测试器件堆叠件之后,在最顶部管芯中形成接合焊盘,其中,接合焊盘与测试焊盘不同。本发明的实施例还涉及半导体器件封装件和...
台湾积体电路制造股份有限公司  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

发光二极管驱动装置和照明器件 

一种LED驱动装置,包括:PCB基板,具有设置在PCB基板上方的变压器和开关器件,所述PCB基板包括与变压器的初级侧相对应的第一电路和与变压器的次级侧相对应的第二电路;第一成型层,设置在所述PCB基板上并覆盖所述变压器和所述开关器件;以及多个散热的热电器件。热...
三星电子株式会社  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

集成电路器件及其制造方法 

本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括:包括主表面的衬底;化合物半导体纳米线,其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分;覆盖第一部分的栅电极;以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且...
三星电子株式会社  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于保护可编程器件的编程数据的方法和装置 

用于可编程集成电路器件的配置数据根据至少一种加密方案至少部分被加密。多个密钥存储存储用于至少一种加密方案的多个解密密钥。控制电路于从至少部分加密的配置数据标识所需密钥并且生成密钥选择信号。密钥选择电路响应于密钥选择信号而读取多个密钥存储并且向控制电路提供所需密钥。控制`#...
阿尔特拉公司  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

电路器件 

本发明提供了一种电路器件,包括:第一电感器,所述第一电感器由第一螺旋状导电图案构成;第一绝缘层,所述第一绝缘层被提供在所述第一电感器的上面或者下面;第二电感器,所述第二电感器位于通过所述第一绝缘层与所述第一电感器重叠的区域中并且由第二螺旋状导电图案构成;以及第三电感器,所述第三电感器被串联地连接至所述第二电...
瑞萨电子株式会社  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有电浮置体晶体管的存储器单元和存储器单元阵列及其操作方法 

一种用于写入、编程、保持、维持、采样、感测、读取和/或确定存储器单元阵列(例如,具有多个存储器单元的存储器单元阵列,该存储器单元由电浮置体晶体管构成)的存储器单元的数据状态的技术。一方面,本发明涉及用于控制和/或操作半导体存储器单元(和具有多个这样的存储器单元的存储器单元阵列以及...
矽利康创新有限公司  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

电路器件 

本发明提供了一种电路器件电路器件包括第一发送电感器、第一绝缘层、第一接收电感器、以及第二接收电感器。第一发送电感器由螺旋状导电图案构成并且接收被发送的信号。第一接收电感器位于通过第一绝缘层与第一发送电感器重叠的区域中。第一接收电感器由螺旋状导电图案构成,...
恩益禧电子股份有限公司  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

集成电路器件及其制造方法 

本发明提供一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括:集成电路衬底;位于该衬底中的第一、第二和第三隔离绝缘区,其定义出第一和第二有源区;位于第一有源区上的第一栅极电极,该第一栅极电极具有位于第一有源区上的延伸到第一绝缘区上的第一部分和位于第一绝缘区上在该第一部分的端部处的第二部...
三星电子株式会社  中国专利  2004年 下载次数(0)| 被引次数(0)

集成电路器件 

在半导体集成电路器件的温度传感器部分,由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层,而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置,第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中,而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件...
恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社  中国专利  2005年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体集成电路器件、数据处理系统及存储系统 

利用使用大量半导体集成电路器件的菊链构造传送将要处理的数据,半导体集成电路器件均具有一个输入端子和一个输出端子,该输入端子用于接收包括指令、数据、数据存在的位置或定时信号中任何一个的输入信号,该输出端子用于提供响应于该输入信号在内部电路中形成的或通过该输入...
株式会社瑞萨科技  中国专利  2005年 下载次数(0)| 被引次数(0)

包括无源器件屏蔽结构的集成电路器件及其形成方法 

本发明涉及一种集成电路器件和形成其的方法。所述集成电路器件包括半导体衬底和半导体衬底上的磁通线产生无源电子元件。伪栅极结构设置于半导体衬底上在无源电子元件下面的区域中。伪栅极包括多个部分,每个部分包括第一纵向延伸部分和第二纵向延伸部分。第二纵向延伸部分从第一纵...
三星电子株式会社  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体集成电路器件及使用该器件的非接触电子装置 

本发明提供一种半导体集成电路器件及使用该器件的非接触电子装置,该半导体集成电路器件具有不使消耗电流间歇地变化,就可将输出电压保持在预定电压值的低功耗的电荷泵电路。在构成电荷泵电路(9)的电荷泵电路单位单元(充放电`#~...
株式会社瑞萨科技  中国专利  2007年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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