半导体装置 

本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置,其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu#X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置,包括:设置在驱动电路部中的第一晶体管;以及设置在像素部中的第二晶体管,其中,第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外,第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管,被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外,在`#~氧化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外,提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外,提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中,该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一`#~氧化物...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜,可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外,通过作为与`#~氧化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种提升增益变化范围的低温度系数可变增益放大器 

本发明公开了一种提升增益变化范围的低温度系数可变增益放大器,包括可变增益电路、交叉耦合温度补偿电路和增益控制电路,可变增益电路根据输入信号强度调整电路增益以稳定输出功率,采用负电阻作为源极退化电阻构成正反馈以提升输入跨导级的跨导电流效率,由二极管连接的晶体管对和交叉耦合连接的晶体管对构成有源负载,在差模信号的情况下,交...
东南大学  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中,在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构,可以当形成第二`#~氧化物`...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

制造半导体器件的方法 

本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中,形成无定形氧化物半导体膜,向所述无定形氧化物半导体膜加入氧,这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后,在所述无定形...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中,包括其能隙彼此不同的至少两个氧化物半导体层的氧化物半导体堆叠层用作半...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明涉及半导体装置及其制造方法。一个目的是提供一种具有稳定的电特性的包括氧化物半导体的半导体装置。在氧化物半导体层之上形成具有很多以悬挂键为典型代表的缺陷的绝缘层,并在其间插入氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层,由此使氧化物半导体层中的诸如氢或湿气(氢原子或者含有氢原子...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

可用于柔性光电子器件的薄膜晶体管研究 

大面积柔性化光电子领域的发展亟需要新型半导体材料,这类半导体材料需满足良好的机械柔性,并且电学性能要高于传统的非晶硅半导体。与传统的硅基半导体和其他的III-V族系列半导体相比,有机半导体材料有着非常良好的机械柔性,但电学性能和稳定性方面存在着较大问题。而金属氧化物半导体材料由于其高迁移率(μ,1–100 cm2V-1...
电子科技大学  博士论文  2015年 下载次数(1202)| 被引次数(6)

半导体装置及其制造方法 

本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中,在与栅极布线层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层,并且在形成该绝缘层的相同的步骤中,形成覆盖氧化物半导体层的叠层的...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

显示装置 

提供一种显示质量优良的显示装置。该显示装置包括第一衬底上的晶体管、与晶体管接触的无机绝缘膜以及与无机绝缘膜接触的有机绝缘膜。该晶体管包括第一衬底上的栅电极、与栅电极重叠的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜的一个表面接触的栅极绝缘膜以及与氧化物半导体膜接触的一对电极。无机绝缘膜与`#~氧...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置、半导体装置的制造方法以及显示装置 

提供一种将含有Cu的金属膜用于具有氧化物半导体膜的晶体管的新颖半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管,该晶体管包括:第一栅电极层;第一栅电极层上的第一栅极绝缘膜;第一栅极绝缘膜上的重叠于第一栅电极层的氧化物半导体膜;电连接于氧化物半导体膜的一对电极层;`#~氧化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

反熔丝存储器单元 

一种具有可变厚度栅极氧化物的反熔丝存储器单元。所述可变厚度栅极氧化物通过以下步骤形成:在反熔丝晶体管的沟道区上沉淀第一氧化物;从沟道区的薄氧化物区移除第一氧化物;以及然后在薄氧化物区热生长第二氧化物。剩余的第一氧化物限定沟道...
赛鼎矽公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性,而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中,形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜),对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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