低缺陷密度大单晶比例太阳能级类单晶硅锭制备及其表面制绒研究 

类单晶籽晶辅助定向凝铸法是近年来在多晶硅籽晶辅助定向凝铸法基础上发展起来的一种全新的低成本、高效率类单晶硅锭制备技术。该技术具有单炉生产量大,单位质量能耗低,硅锭质量好等优点,其对应的太阳能电池片相对于多晶片转换效率更高。但是,现有制备技术存在单锭单晶比例低,缺陷密度高,无法进入产业化阶段的问题;同时,由于其表面单晶与...
苏州大学  博士论文  2016年 下载次数(448)| 被引次数(3)

抗PVT变化的自适应电源电压调整电路设计 

随着CMOS工艺和集成电路设计的发展,集成电路的尺寸不断缩小,PVT(Process,Voltage and Temperature)波动对集成电路的影响也越来越严重。而集成电路进入深亚微米后,晶体管的漏电日益严重,加上广泛使用的便携式电子设备绝大部分时间处于待机状态。因此,研究抗PVT波动的静态低功耗技术,具有很强的...
哈尔滨工业大学  硕士论文  2011年 下载次数(185)| 被引次数(3)

一种变温变掺杂流量的埋层外延生长方法 

在已经制作有埋层的衬底上生长外延层,为了控制图形畸变和漂移而选取了较高的工艺温度,导致了严重的自掺杂。通过对比实验探讨了常用的双层外延工艺和变温变掺杂流量工艺对于抑制自掺杂的效果。在一定的埋层掺杂浓度范围内,需要采用变温变掺杂流量工艺,才能使外延层纵向载流子浓度分布(SRP)满足器件要求。
《电子与封装》  2016年 第01期 下载次数(38)| 被引次数(2)

纳米银覆石墨烯焊膏低温低压连接工艺及其机理研究 

为了满足新型半导体材料电子器件的高温工作需求与环保需求,针对以纳米颗粒烧结为主的附加技术正在逐渐被开发与研究。纳米颗粒烧结接头具有高电导率、高热导率以及有良好的热机械可靠性,同时其制备工艺温度较低却能够在相对高的温度下长时间可靠工作。本文通过原位合成的方法原位还原了表面具有柠檬酸包覆层作为稳定剂的纳米银颗粒并将其均匀且...
哈尔滨工业大学  硕士论文  2017年 下载次数(189)| 被引次数()

MEMS集成室温红外探测器研究 

近年来,采用微机械室温红外探测器实现热成像是MEMS领域和光学成像领域的研究热点。本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和a-Si TFT等三种常规硅基材料和器件的制备方法和热电特性,开发了一套新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺,利用该工艺成功地制作了a-Si和polySiGe薄膜电阻式...
清华大学  博士论文  2004年 下载次数(1892)| 被引次数(20)

P型VDMOS器件NBTI效应的研究 

纳米级工艺的栅氧化层厚度仍在继续缩小,但是由于功率MOS器件的广泛应用,超厚栅氧化层工艺仍有其研究的价值。功率VDMOS因为其优良的开关性能使得兆赫兹技术的应用成为可能,这将使得功率VDMOS成为应用于高频开关电源非常有吸引力的器件。高频工作特性允许小尺寸无源器件(如变压器、线圈、电容)的使用,因此减小了整机的重量和体...
西安电子科技大学  硕士论文  2014年 下载次数(165)| 被引次数(1)

自适应衬底偏置电压调节技术研究 

随着集成电路工艺水平的进步,电路的静态功耗在总功耗中占有越来越大的比例,早已成为低功耗集成电路设计中需要考虑的首要问题。然而,随着特征尺寸缩小至纳米量级,器件的短沟道效应变得越来越严重,漏电流的组成机制变得更为复杂,漏电功耗对工艺和温度的改变更加敏感,传统低功耗技术的有效性受到了很大的局限。在工艺和温度条件变化的情况下...
哈尔滨工业大学  硕士论文  2011年 下载次数(161)| 被引次数(3)

高精度半导体扩散/氧化工艺控制系统的研制 

半导体和集成电路专用设备制造业是支撑半导体和集成电路产业发展的基础,在各种半导体专用设备中,扩散/氧化工艺生产设备是集成电路生产过程中的最为重要的工艺设备之一,其中的控制系统是该设备的核心,控制系统的性能指标反映这类设备的性能高低。针对现有控制系统存在的问题,特别是在温度控制方面存在的问题,从实际应用角度出发设计并制作...
青岛理工大学  硕士论文  2009年 下载次数(157)| 被引次数(0)

铟锌氧化物薄膜晶体管和高功函数TCO薄膜的研究 

有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)显示具有轻薄、反应速度快、对比度高、视角广等特点,被认为是下一代显示技术。其使用的薄膜晶体管(TFT)主要有两种,一种是非晶硅(a-Si)TFT,一种是多晶硅(p-Si)TFT。由于...
复旦大学  博士论文  2010年 下载次数(1213)| 被引次数(4)

IGZO薄膜性能的研究及改善 

上个世纪末,对透明氧化物材料(transparent oxide semiconductor TFT,TOS-TFT)的研究逐渐成为国际上的研究热点,以非晶铟镓锌氧化物(amorphous Indium-Gallium-Zi nc,a-IGZO)半导体材料为沟道层的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(amorphous Ind...
江南大学  硕士论文  2017年 下载次数(240)| 被引次数()

氮化物MIS-HEMT器件界面工程研究 

与传统的肖特基栅HEMT相比,GaN基绝缘栅HEMT器件可以有效减小栅极泄漏电流,在高效微波功率放大器、高压开关等应用中具有广阔的应用前景。然而,栅绝缘层与氮化物之间严重的界面问题会引起器件性能退化和可靠性问题,近年来成为国际研究的热点。本论文创新性地采用AlN栅绝缘层替代常用的栅氧介质,基于高质量AlN绝缘层材料制备...
西安电子科技大学  博士论文  2016年 下载次数(655)| 被引次数(0)

低温、高迁移率金属氧化物薄膜晶体管的研究 

近年来,薄膜晶体管(TFT)由其在有源矩阵发光二极管(AMOLED)显示中的应用而得到了广泛的研究。其中金属氧化物(Metal Oxide)薄膜晶体管(MOTFT)由于具有较高的迁移率,而且因均一性好、可见光透明、稳定性好,工艺温度低等优点而成为关注的焦点。为了满足AMOLED向柔性、大尺寸以及超高清的发展需要,需要进...
华南理工大学  硕士论文  2017年 下载次数(145)| 被引次数()

沟槽MOSFET栅极工艺的应用和优化 

沟槽功率MOSFET作为一种新型垂直结构器件,拥有开关速度快、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、温度特性好、无二次击穿问题等优点,已经在稳压器、电源管理模块、机电控制、显示控制、汽车电子等领域得到了广泛的应用。栅极工艺是MOSFET器件制造中最核心的步骤,因此栅极工艺的优化对沟槽MOSFET器件性能和产品良率的提升具...
复旦大学  硕士论文  2012年 下载次数(536)| 被引次数(3)

氧化物薄膜晶体管及其有源材料的研究 

薄膜晶体管(TFT)是液晶显示(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示背板的核心部件;其中基于金属氧化物半导体有源层的TFT由于具有迁移率较高、成本低、工艺温度较低、均匀性好、对可见光透明以及与a-Si TFT产线兼容等优点而被认为是适合驱动AMOLED的TFT技术之一。随着平板显示向超高分辨率、超大尺寸...
华南理工大学  博士论文  2016年 下载次数(945)| 被引次数(2)

纳米银焊膏无压低温烧结连接方法的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块封装应用研究 

纳米银焊膏作为一种无铅的界面连接材料,可以通过低温烧结技术实现功率半导体芯片的连接。由于纳米银焊膏具有熔点高(961℃)、电导率和热导率高(4.1×10~7S/m和229 W/mK)、工艺温度低(260℃以下)等优点,它逐步替代传统焊料合金和导电环氧树脂,并广泛应用于高温功率半导体器件中。本文针对该纳米银焊膏的低温烧结...
天津大学  博士论文  2017年 下载次数(487)| 被引次数()

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