半导体晶圆的热氧化制作工艺 

一种半导体晶圆的热氧化制作工艺,此制作工艺首先在低于主要热氧化制作工艺温度的一温度之下,将晶圆加载炉管中,并且,通入足以驱离炉管中水气以及氧气的大流量的氮气或氩气。接着在晶圆完全加载炉管后,逐渐升高炉管的操作温度至主要热氧化制作工艺温度,并持续通入...
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2003年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氮化硅膜的制造方法 

一种氮化硅膜的制造方法,此方法适用于基底,且于基底上至少形成有一晶体管元件,而此方法包括下列步骤。首先,于晶体管元件上形成自行对准金属硅化物膜。接着,于基底上形成氮化硅膜。之后,对氮化硅膜进行热处理工艺。其中,此热处理工艺工艺温度低于摄氏450度,且此...
联华电子股份有限公司  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

PVC电缆料在生产过程中粘粒现象产生原因及解决措施 

PVC电缆料是电线电缆行业应用较为广泛的高分子材料。本文对传统的双阶双螺杆造粒机和现新兴的密炼机造粒产生的粘连现象进行较为充分的分析,发现生产工艺温度、设备以及一些生产细节都是造成 粘粒 现象的原因,并结合生产实际通过控制工艺参数、选用合适目数的过滤网、选择适当的投料顺序和设备的定期维护等方法来解决生产过程中 粘粒 的...
《汽车与配件》  2011年 第28期 下载次数(190)| 被引次数(1)

光电元件及其制造方法 

本发明公开了一种光电元件及其制造方法。根据本发明的制造方法,首先,制备衬底。接着,于该衬底上形成多层结构。然后,通过原子层沉积工艺及/或等离子体增强原子层沉积工艺(或等离子体辅助原子层沉积工艺),形成钝化层,该钝化层覆盖该多层结构。本发明可以提供良好的表面钝化效果,...
陈敏璋  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有控制应力的氮化硅膜 

本发明公开了一种包含一多层氮化物层叠的组件(assembly),该多层氮化物层叠具有多层氮化物蚀刻终止层,且每一氮化物蚀刻终止层彼此层叠,并通过一薄膜形成工艺来形成每一层氮化物蚀刻终止层。一种制造该多层氮化物层叠的方法包括将一衬底置于一单一晶片沉积室中,以及在沉积的前一刻,先对...
应用材料股份有限公司  中国专利  2007年 下载次数(1)| 被引次数(0)

感应加热装置及方法 

本发明公开了一种感应加热装置及方法,对工件在不同的温度段采用不同的频率中频电源进行感应加热,使透热层深度Δ始终保持比较大的状态,得到更快的感应加热速度、更高的加热效率。对于步进式感应加热方式,本发明的双频感应加热装置相比按照常规设计的感应器总炉长可以缩短20%左右,解决了加热装置在车间内没有足够空间布置的问...
镇江市高等专科学校  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

AMS2750E标准在真空炉中的应用 

AMS2750E标准规定了各类真空炉型的温度校准精度和均匀性的要求,以及各类仪器、仪表的校准精度。目前各行业都在借鉴和使用该标准,而普通的真空炉不能满足AMS2750E标准要求。通过对其关键技术的解决和实施,研制了能够满足AMS2750E标准的真空炉,并且已经在航空、航天以及各行业领域内广泛使用。
《电子工业专用设备》  2014年 第05期 下载次数(82)| 被引次数(1)

铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的研究 

铜铟镓硒(CIGS)黄铜矿材料由于吸收系数高、稳定性好、抗辐射能力强、具有可调节的光学带隙等优点而受到广泛关注。目前,基于CIGS多晶薄膜的太阳电池转换效率已经超过20%,被认为是最有希望的薄膜太阳电池。本文的研究旨在制备高质量的CIGS吸收层,提高CIGS电池的转换效率。 本文采用电子束蒸发方法和多源共蒸“三...
浙江大学  博士论文  2011年 下载次数(1292)| 被引次数(14)

高真空烧结工艺控制系统的研究与应用 

针对国内钐钴永磁材料合成过程烧结工艺现状,本文以钐钴永磁合金生产企业的高真空烧结工艺控制系统为研究对象,同时结合计算机控制系统的特点、传感检测技术以及现场总线的特点,从而设计研制出稳定性好、可靠性强、经济效益高的高真空烧结工艺控制系统。本文针对高真空烧结过程工艺进行研究,设计了可有效提高烧结效率、降低能耗的预烧结、烧结...
青岛理工大学  硕士论文  2015年 下载次数(92)| 被引次数(0)

单晶内连接线形核和生长温度的预测方法 

本发明单晶内连接线形核和生长温度的预测方法,是在集成电路制作中,为获得一定长度的单晶内连接线而确定其形核和生长工艺温度的方法。此方法根据尺寸依赖的固—液界面能模型修正了经典形核理论,结合形核率和长大速率的凝固动力学模型,建立了在一定生长温度下形核时间和生长长度之间的解析联系,理论预测...
吉林大学  中国专利  2005年 下载次数(1)| 被引次数(0)

一种应用于硅太阳电池的恒温扩散工艺 

本发明公开了一种应用于硅太阳电池的恒温扩散工艺。本发明的恒温扩散工艺包含以下步骤:第一步、采用0.2~0.5的小氮/氧气比在单/多晶硅片上进行扩散;第二步、以850℃的工艺温度进行恒温推结5~15分钟;第三步、采用0.9~1.2的小氮/氧气比再次进行扩散...
江阴浚鑫科技有限公司  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

感应加热装置 

本实用新型公开了一种感应加热装置,对工件在不同的温度段采用不同的频率中频电源进行感应加热,使透热层深度△始终保持比较大的状态,得到更快的感应加热速度、更高的加热效率。对于步进式感应加热方式,本实用新型的双频感应加热装置相比按照常规设计的感应器总炉长可以缩短20%左右,解决了加热装置在车间内没有足够空间布置的...
镇江市高等专科学校  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

制造电子电路部件的方法 

本发明的目的是提供一种制造电子电路部件如有机TFT 1的方法,该方法能够制造具有优良可靠性和实用水平品质的电子电路部件,因为特别是在通用塑料衬底等上,通过在对上述塑料衬底无影响的200℃以下的工艺温度下的处理,能够形成具有更优良特性的绝缘层和导电层。本发明的制造电子电...
住友电气工业株式会社;日产化学工业株式会社  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体热处理工艺温度前馈补偿方法 

本发明公开了一种半导体热处理工艺温度前馈补偿方法,包括:若当前实际温度与目标温度之间的差值不小于第一设定值,则根据目标温度的升温速率调整补偿输出的给定温度,使给定温度大于目标温度,消除实际温度相对于目标温度的滞后...
北京七星华创电子股份有限公司  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法 

本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法,该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括:将加速了的氢离子照射到半导体衬底,以形成包含大量的氢的损伤区域;在接合单晶半导体衬底和支撑衬...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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