半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法 

本发明提出一种半导体层序列,具有:第一氮化物化合物半导体层;第二氮化物化合物半导体层;和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层;其中从第一氮化物化合物半导体层起,中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接,其中中间...
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体层序列、光电子半导体芯片和用于制造半导体层序列的方法 

在至少一个实施形式中提出用于光电子半导体芯片(10)的半导体层序列(1)。半导体层序列(1)包含至少三个量子阱(2),所述量子阱设计成用于产生电磁辐射。此外,半导体层序列(1)包括多个势垒层(3),所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相邻的量子阱(2)之间。量子阱(2)具有第一平均铟...
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

有机发光二极管、有机发光模块和用于制造有机发光二极管的方法 

提出一种有机发光二极管(100),所述有机发光二极管具有衬底(1),所述衬底具有上侧(10)和一个或多个横向于上侧(10)伸展的衬底侧面(11)。上侧(10)和衬底侧面(11)分别经由衬底棱边(12)彼此连接。此外,有机发光二极管(100)包括施加到上侧(10)上的有机层序列(2),所述有机层序...
欧司朗OLED股份有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种光伏-热效太阳能电池的制作方法 

一种光伏-热效太阳能电池的制作方法,其特征如摘要附图所示特征为:层状结构,由序1基板,序2、序4、序6导电金属层,序3、序5为热效半导体层,序7为光伏半导体层,序8为透明导电层,序9为透明保护层构成,其中序5热效半导体层又由掺杂Zn元素的序51n型氧化钴钙热效半导体薄膜和掺杂稀土La元素的序52p型氧化钴钙热效半导体薄...
杨永清  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法 

本发明提出一种半导体层序列,具有:第一氮化物化合物半导体层;第二氮化物化合物半导体层;和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层;其中从第一氮化物化合物半导体层起,中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接,其中中间...
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制造光电子器件的方法以及光电子器件 

在用于制造光电子器件的方法中,提供具有第一热膨胀系数的生长衬底(10)。将多层缓冲层序列(11)施加到生长衬底上。接着,外延沉积层序列(2),其具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。此外,该层序列还包括用于发射电磁辐射的有源层。接着,在外延沉积的层序列(2)上施加支承...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制造光电子器件的方法以及光电子器件 

在用于制造光电子器件的方法中,提供具有第一热膨胀系数的生长衬底(10)。将多层缓冲层序列(11)施加到生长衬底上。接着,外延沉积层序列(2),其具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。此外,该层序列还包括用于发射电磁辐射的有源层。接着,在外延沉积的层序列(2)上施加支承...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体芯片 

提出一种光电子半导体芯片(100)。半导体芯片(100)包括具有下侧(10)和与下侧(10)相对置的上侧(14)的半导体层序列(1)。从下侧(10)来看,半导体层序列(1)以如下顺序具有:第一传导类型的第一层(11)、用于产生电磁辐射的有源层(12)和第二传导类型的第二层(13)。半导体芯片(1...
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制造透明导电氧化物多层的方法 

本申请涉及用于光电转换装置的多部件透明导电氧化锌层以及其制造方法。透明导电氧化锌层包括具有不同硼掺杂和浓度的至少一个基本层序列,所述基本层序列包括较薄的透明导电氧化锌较高硼掺杂层(72;74)和较厚的透明导电氧化锌较低硼掺杂层(73;75)。在本发明中,通过每个单独的导电氧化锌层(72,73;7...
TEL太阳能公司  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体芯片 

提出一种光电子半导体芯片(10),所述光电子半导体芯片包括至少一个n掺杂的半导体层(3)、至少一个p掺杂的半导体层(5)和设置在至少一个n掺杂的半导体层(3)和至少一个p掺杂的半导体层(5)之间的有源层(4),其中p掺杂的半导体层(5)借助于第一金属连接层(8)电接触,并且其中在p掺杂的半导体层(5)和第一连接层(8)...
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制造半导体层序列的方法、发射辐射的半导体芯片和光电子器件 

说明了用于制造半导体层序列的方法,该半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料并且具有微结构化的外表面,以及说明用该方法制造的半导体芯片和具有这种半导体芯片的光电子器件。该方法包括下面的步骤:A)在衬底上生长半导体层序列的至少一个第一半导体层;B)在该第一半导体层上施加蚀刻停止层;C)在...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体芯片及其制造方法 

半导体芯片(1)包括具有n导通的层序列(21)以及p导通的层序列(23)和位于其间的用于产生电磁辐射的有源区(22)的半导体层序列(2)。此外,在半导体层序列(2)中,蚀刻标志层(24)位于p导通的层序列(23)中或上。此外,半导体层序列(3)上的...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 

在至少一个实施方式中,光电子半导体芯片(100)包括半导体层序列(1),所述半导体层序列具有上侧(2)、与上侧(2)相对置的下侧(3)和用于产生第一波长(10)的电磁辐射的有源层(11),其中半导体芯片(100)不具有用于半导体层序列(1)的生长衬底。此外,半导体芯片(100)包括多...
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体器件和用于制造无机光电子半导体器件的方法 

在光电子半导体器件(1)的至少一个实施形式中,该光电子半导体器件(1)包含支承体(2)和至少一个半导体层序列(3)。半导体层序列(3)具有至少一个有源层(30)。半导体层序列(3)此外被安置在支承体(2)上。此外,半导体器件(1)包含处于支承体(2)与半导体层序列(3)之...
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

激光源和用于制造激光源的方法 

一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5),所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122),其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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