制造变压器铁芯片模、片料的方法和片模、片料 

制造卷铁芯片模、片料的方法和所得片料,先用一与片料等厚的带状片材卷绕成仿真毛坯胎,切削加工成预设的卷铁芯仿真胎,接着开轭获得展开的由一组片状模具构成的片模,每个片状模具来自仿真胎的一个层序,其两个侧边构成的轮廓形状取决于该片状模具所在的仿真胎的对应层序的截面形状尺寸、框架形状尺寸,两个端边构成的...
广东岭先技术投资企业(有限合伙)  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制造薄膜半导体芯片的方法 

描述了两种用于制造基于III/V化合物半导体材料的薄膜半导体芯片的方法,其中所述薄膜半导体芯片适合于产生电磁辐射。根据第一方法,将适合于产生电磁辐射的有源层序列(1)施加在生长衬底(2)上,该有源层序列(1)具有面向生长衬底(2)的正面(12)和背离生长衬...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2007年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体芯片 

提供一种具有半导体层序列(2)的光电子半导体芯片(1),该半导体层序列(2)包括适于产生辐射的有源区(3)并具有横向主延伸方向,其中,半导体层序列通过具有侧表面(17)的衬底(4)来布置,该侧表面具有相对于主延伸方向成斜角的侧表面区域(18)和/或切口(21),并且,半导体芯片具有辐...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体芯片 

提供一种具有半导体层序列(2)的光电子半导体芯片(1),该半导体层序列(2)包括适于产生辐射的有源区(3)并具有横向主延伸方向,其中,半导体层序列通过具有侧表面(17)的衬底(4)来布置,该侧表面具有相对于主延伸方向成斜角的侧表面区域(18)和/或切口...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法 

本发明提供一种发光二极管芯片,该发光二极管芯片具有至少一个电流阻挡层。该电流阻挡层适合于通过降低的电流密度选择性防止或减少在被电连接体横向覆盖的区域中产生辐射。电流扩展层含有至少一种TCO(透明导电氧化物,Transparent Conductive Oxide)。在特别优选的实...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

带有支承衬底的发射辐射的半导体本体及其制造方法 

本发明涉及一种带有支承衬底的发射辐射的半导体本体及其制造方法。在该方法中,建立半导体层序列(2)与支承衬底晶片(1)的结构化的连接。半导体层序列借助穿过半导体层序列的切口(6)划分为多个半导体层堆叠(200),而支承衬底晶片(1)借助穿过支承衬底晶片(1...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制造辐射发射的半导体芯片的方法 

本发明涉及一种方法,用于将用于薄膜发光二极管芯片的半导体层序列的辐射发射的面微结构化,其包括以下步骤:(a)在衬底上生长半导体层序列;(b)将反射器层(7)施加或者构造在半导体层序列上,反射器层将在半导体层序列工作时在半导体`#~层...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2007年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电组件、具有多个光电组件的装置和用于制造光电组件的方法 

说明了一种包括具有有源区(400)和横向的主延伸方向的半导体功能区域(2)的光电组件(1),其中该半导体功能区域包括至少一个穿过该有源区的贯穿部(9、27、29),在该贯穿部的区域内设置有连接导体材料(8),其与该有源区至少在该贯穿部的一部分区域内电隔离(10)。此外,说明了一种...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2007年 下载次数(1)| 被引次数(0)

光电组件及其制造方法以及具有多个光电组件的装置 

本发明涉及一种光电组件、具有多个光电组件的装置和用于制造光电组件的方法。一种光电组件(1),包括具有有源区(400)和横向的主延伸方向的半导体功能区域(2),其中所述半导体功能区域具有至少一个穿过所述有源区的贯穿部(9、27、29),并在所述贯穿部的区域内设置有连接导体材料(8)...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

有机光电子器件 

提出了一种有机光电子器件(10),具有:三维衬底本体(1),其具有封闭的衬底表面(1a);发射辐射的层序列(2),其具有包含有机材料的至少一个层(2a,2b,2c,2d,2e),其中发射辐射的层序列(2)施加到封闭的衬底表面(1a)上并且形成弯曲的面。
欧司朗光电半导体有限公司  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜发光二极管芯片及其制造方法 

要求保护一种薄膜发光二极管芯片(5),其具有一个被布置于载体元件(2)上的外延层序列(6)和一个被布置于该外延层序列(6)的朝向所述载体元件(2)的主面上的反射层(3),其中所述外延层序列具有一个产生电磁辐射的有源区(8),所述反射层将在所述外延`#~层序...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

光电子半导体本体及其制造方法 

说明了一种光电子半导体本体,该光电子半导体本体具有:半导体层序列(2),该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层(23);以及第一和第二电连接层(4,6),其中该半导体本体被设置用于从正面发射电磁辐射,第一和第二电连接层被布置在与正面对置的背面上,并且借...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

多重量子阱结构的光电子器件 

带MQW-结构的光电子器件,带有两个不同作用的MQW-结构的器件,在此器件处,组成MQW-结构的层序列(4)(14),是在同类层的一个层面的简单晶体取向附生过程中长大的。在激光二极管-调制器组合结构中,激光MQW-层序列(4)是安装在调制器的MQW-层序列(14)以内的。
西门子公司  中国专利  1998年 下载次数(1)| 被引次数(0)

具有垂直晶体管的集成电路布置结构和该布置结构的制造方法 

晶体管为垂直MOS晶体管,它包括一设置在被第一导电类型掺杂的基片(1)上的层序列(SF、SF*),该层序列具有作为第一源极/漏极区的下层(U)、作为通道区的被第一导电类型掺杂的中间层(M)和作为第二源极/漏极区的上层(O)。一被第一导电类型掺杂的连接结构(V)至少设置在层序列(SF、...
印芬龙科技股份有限公司  中国专利  2001年 下载次数(0)| 被引次数(0)

发射辐射的半导体元件 

本发明涉及一种具有半导体本体的发射辐射的半导体元件,该半导体本体包含第一主表面(5)、第二主表面(9)和具有产生电磁辐射的有源区(7)的半导体层序列(4),其中该半导体层序列(4)被布置在第一和第二主表面(5,9)之间,第一电流扩展层(3)被布置在第一主表...
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

共找到相关记录47条1234下一页