电流控制型DC-DC级联系统大信号稳定性关键问题研究 

随着电子信息技术和新能源技术的不断发展,直流分布式电源系统以其独特的优势受到学术界的热切关注,并广泛应用于电动汽车、计算机系统、医疗电子设备以及电信行业等领域。在带来诸多好处的同时,庞大的规模及复杂的结构不仅使系统的稳定性问题凸显,还给稳定性设计带来了很大的难度,若想将其作为整体进行稳定性分析几乎不可能。针对这一重要学...
浙江大学  博士论文  2013年 下载次数(1492)| 被引次数(15)

场效应晶体管的大信号模型研究 

在无线及微波电路的设计中,各种III-V族化合物半导体场效应晶体管(FET)器件被广泛应用到各种大信号电路的实现中,如功率放大器、振荡器、乘法器等。尽管微波及射频电路的复杂程度在继续增加,迫于缩短设计周期和降低成本等因素,设计人员往往借助于计算机辅助设计(CAD)进行电路的仿真和验证。在一个基于CAD的设计流程中,我们...
电子科技大学  博士论文  2011年 下载次数(1432)| 被引次数(20)

微波毫米波GaN HEMT大信号模型研究 

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高频、大功率、高效率等特性优势,成为近年来国内外半导体器件方面研究的热点。GaN HEMT的大信号(或非线性)特性及其模型的研究,在优化器件工艺及结构、指导电路设计和提高电路性能等方面具有重要的指导作用。传统Si及GaAs基场效应晶体管模型及其建模方法,难以精确表征Ga...
电子科技大学  博士论文  2016年 下载次数(969)| 被引次数(6)

微波GaN HEMT大信号模型参数提取研究 

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)因其工作频率高、输出功率密度大、效率高等特点,已成为目前微波功率器件的研究热点,并广泛应用于雷达、通信等电子系统。微波GaN HEMT器件的大信号模型是电路设计的前提,并且对提高电路性能、优化器件工艺和结构具有重要的指导作用。然而,目前GaN HEMT大信号等效电路模型多...
电子科技大学  博士论文  2018年 下载次数(404)| 被引次数(2)

射频功率放大器大信号表征及频域非线性特征建模 

射频/微波系统中的功率放大器作为通信系统中的核心元器件,放大器产生的非线性现象是影响射频/微波通信系统性能的重要因素,得到专家和学者们的普遍关注。人们对射频功率器件提出了更多的新要求,如更高的功率,更高效率和更小的体积。然而,传统的设计射频功率器件的逐次渐近法非常的耗时,而且需要有经验积累的过程,不利于快速...
哈尔滨工业大学  博士论文  2008年 下载次数(980)| 被引次数(6)

一种微波氮化镓器件物理基大信号模型建立方法及系统 

本发明公开一种微波氮化镓器件物理基大信号模型建立方法及系统。该方法包括:获取对同一条工艺线上的各个氮化镓器件在不同输入功率下的测试结果数据;计算在每个输入功率下的测试结果数据的均值;基于该均值建立物理基大信号模型,并设置物理参数为标称值,进而得到拟合参数初值;筛选上边缘曲线和下边缘曲线对应的器件...
电子科技大学;成都海威华芯科技有限公司  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

4H-SiC MESFET非线性模型研究 

SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等领域的有着广泛的应用前景。4H-SiC金属半导体场效应晶体管(MESFET)具有较宽的频率带宽、高功率密度、大功率和高漏压工作等优越特性,在相控阵雷达、下一代基站以及高温、辐照等极端环...
西安电子科技大学  博士论文  2008年 下载次数(381)| 被引次数(6)

GaN HEMT功率器件非线性建模研究及功率放大器设计 

近些年来,随着科学技术的快速发展,人们对于晶体管在高温、大功率、抗辐射和高频率等方面的性能提出了越来越高的要求。而GaN HEMT作为第三代半导体材料器件,正是由于其在高频、高温、大功率等方面的优越性能,才使其逐渐的成为了当前研究的热点。然而,尽管GaN HEMT器件目前已经逐渐成为了行业的主流,但在功率放大电路的设计...
西安电子科技大学  硕士论文  2018年 下载次数(95)| 被引次数(1)

卫星通信抗截获波形设计与检测技术研究 

在侦察技术的多样化发展下,物理层信号安全问题越来越受到人们的重视。卫星通信波束范围广,其通信信道具有开放性,通信信号隐蔽性较差,容易被电子侦察截获。传统的抗截获技术主要采用扩展频谱的方式,但随着人们对于低截获概率(Low Probability of Interception,LPI)信号检测问题的研究,传统扩频信号的...
电子科技大学  硕士论文  2018年 下载次数(286)| 被引次数()

AlGaN/GaN HEMT器件模型的建立与验证 

AlGaN/GaN HEMT器件的工作频率比较高,功率密度比较大,而且耐高温、线性度好、易匹配、输入阻抗高,广泛应用于单片微波集成电路(MMIC)当中。而研发人员在设计微波集成电路时首先采用合适的GaN HEMT器件模型对MMIC进行仿真设计,降低了研发费用,设计成功率得到了极大的提高,同时也缩短了研发周期,因此准确的...
西安电子科技大学  硕士论文  2017年 下载次数(220)| 被引次数()

DC/DC级联系统大信号稳定性研究 

本文对电力电子级联系统大信号稳定性问题进行研究,为利用标准模块进行实际应用系统集成设计提供理论依据。 首先,对区别于级联系统小信号稳定性的现象进行科学的分类和归纳,在这种归纳之下,对系统的大信号级联稳定性进行深入研究。在研究中拟遵循从简单到复杂的原理,从2个模块的级联系统开始,利用开关模型直接进行仿真,对大信号条...
浙江大学  硕士论文  2012年 下载次数(658)| 被引次数(3)

SiC MESFET功率器件建模 

碳化硅(SiC)材料是第三代的宽禁带半导体材料之一,它具有禁带宽、临界击穿电场高和饱和漂移速度高等优点,逐渐成为制造高频大功率,耐高温和抗辐照功率金属-半导体场效应管(MESFET)的最重要的半导体材料之一,SiC MESFET则非常适合功率放大领域的应用。为了实现器件的功率最大化输出和提高器件的功率附加效率,功率器件...
电子科技大学  硕士论文  2011年 下载次数(354)| 被引次数(6)

4H-SiC MESFET参数模型和射频放大器的设计 

SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等领域的有着广泛的应用前景。因此基于4H-SiC的功率微波器件--金属半导体场效应晶体管(MESFET)越来越受到人们的重视。本文就4H...
西安电子科技大学  硕士论文  2005年 下载次数(409)| 被引次数(5)

一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法 

本发明公开了一种GaN#HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法,包括以下步骤:S1:分别建立器件热参数、电参数和应力参数与器件物理参数的映射关系;S2:基于物理基大信号模型建模理论,推导大信号模型内核的解析表达式;S3:分别将热#电耦合、热#力耦合和力#电耦合量化嵌入`#~大信号...
成都海威华芯科技有限公司  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法 

本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法,包括:测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管,获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流#电压特性;将所述电流#电压特性用于与所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路模型,提取关于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的`#~大信号`@...
电子科技大学  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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