AlGaN/GaN异质结功率晶体管新结构与特性分析研究 

Si基功率半导体器件经过数十年的发展,已经接近其性能极限。为了满足电力电子技术的快速发展需要,以GaN为代表的第三代宽禁带半导体成为了研究的热点。以AlGaN/GaN HEMT为代表的异质结晶体管被认为是30~1800V电压范围内理想的功率半导体器件。但是AlGaN/GaN异质结功率晶体管的高耐压、增强型、高可靠等多项...
西安电子科技大学  博士论文  2018年 下载次数(379)| 被引次数()

新型MOSFET和TFET器件的辐照可靠性研究 

近年来,随着快速发展的航空航天事业,迫切需要增强集成电路抗辐照效应的能力,绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)技术实现了全介质隔离的特殊结构,减少了电离电荷收集区,消除了闩锁效应,使其广泛应用于空间和军事等领域。然而由于埋氧层的存在,使得同工艺的SOI器件较体硅器件的辐照退化更为复杂,影响了S...
西安电子科技大学  博士论文  2017年 下载次数(314)| 被引次数(1)

氮化镓基高电子迁移率晶体管逆压电可靠性研究 

由于GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高击穿电压、高载流子密度、高载流子饱和速度等优势,目前已在高频大功率器件应用领域取得了广泛的关注。然而,目前可靠性问题仍然是阻碍GaN基HEMT器件进一步推广的主要原因。由于GaN基HEMT器件通常工作于高压大功率条件,逆压电效应成为影响器件可靠性的重要因素之一。本文首先结...
西安电子科技大学  博士论文  2016年 下载次数(426)| 被引次数(0)

550V厚膜SOI-LIGBT器件可靠性研究 

厚膜绝缘体上硅(SOI)工艺具有隔离性能好、抗辐射能力强和寄生参数小等优点,而横向绝缘栅极极型晶体管(LIGBT)器件具有击穿电压高、电流能力强及可集成的特点,因此厚膜SOI-LIGBT器件受到了功率集成电路的青睐,在智能家电、电动汽车、工业控制和显示驱动等领域有着广泛的应用,成为未来智能功率集成电路的核心元件之一。然...
东南大学  博士论文  2016年 下载次数(272)| 被引次数(2)

高压SiC JFET器件的设计、制备与应用研究 

作为宽禁带半导体的典型代表,碳化硅(SiC)被认为是功率半导体器件的理想材料。与硅(Si)基器件相比,SiC功率器件具有高击穿电压、高工作频率以及耐高温等特点,有望进一步扩展电力电子技术在电网、新能源发电、车辆牵引以及国防技术等多个领域的应用范围。特别是在中高电压领域(3300V-6500V),随着我国高铁事业的蓬勃发...
浙江大学  博士论文  2016年 下载次数(602)| 被引次数(2)

白光有机电致发光器件的光学仿真与性能研究 

有机电致发光器件(Organic light-emitting device,OLED)以其全固态、响应快和可柔性等优异特性,成为21世纪最具发展潜力的固体照明和显示设备。与目前其他传统的器件比较,OLED器件还具有电流驱动、主动发光、超薄厚度、工作环境适应度高和器件可优化程度高等的特点。其中,白光OLED器件由于可以...
电子科技大学  博士论文  2016年 下载次数(476)| 被引次数(2)

高压SOI-pLDMOS器件可靠性机理及模型研究 

绝缘体上硅(SO1)功率集成器件具有集成密度高、静态功耗低、开关速度快及抗闩锁能力强等优点,而p型横向双扩散MOS器件(pLDMOS)作为高边驱动可以简化功率集成电路的复杂度,减小芯片面积,因此,SOI-pLDMOS器件已经广泛应用于平板显示驱动芯片、浮棚驱动芯片、电源管理芯片及音频功放芯片等诸多功率集成电路中。近年来...
东南大学  博士论文  2015年 下载次数(219)| 被引次数(4)

基于柔性塑料基底OLED阵列化技术及有机光伏器件研究 

在现今的平板显示器和新能源领域,柔性光电子器件以其显著的特点得到众多公司、科研院所和高校的广泛重视和深入研究,作为光电转换互逆的两个过程的器件,主要以柔性有机电致发光器件(flexible organic light-emitting devices, FOLED)和柔性有机薄膜光伏器件(organic thin-fi...
电子科技大学  博士论文  2011年 下载次数(2260)| 被引次数(3)

高性能氮化物半导体MOS-HEMT器件研究 

论文首先对GaN基MOS-HEMT器件的制作工艺方法进行了研究和优化,在器件表面钝化工艺中,提出了采用先低后高的起辉功率,提高了Si3N4钝化层的薄膜质量;通过调整He和N2的比例,有效地改善了Si3N4钝化层对材料表面所产生的应力和表面粗糙度,明显提高了Si3N4薄膜的击穿电压。通过对Si3N4介质材料进行大量的统计...
西安电子科技大学  博士论文  2011年 下载次数(614)| 被引次数(2)

氮化镓基HEMT器件高场退化效应与热学问题研究 

本文针对氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)的高场退化效应以及器件中的热学问题展开研究。 论文首先通过设计恒定应力-恢复实验以及阶梯应力-恢复实验,对GaN基HEMT器件的高场退化效应进行研究。通过对器件直流特性、光照恢复特性以及陷阱俘获-释放行为的比较,发现器件在不同的应力条件下存在不同的主导退...
西安电子科技大学  博士论文  2013年 下载次数(1485)| 被引次数(18)

界面修饰对有机电致发光器件性能的影响 

自从1987年邓青云教授等人首次发表双层电致发光器件以来,有机电致发光器件就吸引着科研界和产业界工作者们越来越多的注意力,并成为下一代照明与显示技术的研究中心。目前,在新型有机电致发光材料设计方面,红色与绿色的磷光材料已可以完全满足产业化的要求,但蓝色磷光材料依然无法解决其高滚降和低寿命等问题。为解决这些问题,就需要我...
华中科技大学  博士论文  2013年 下载次数(447)| 被引次数(0)

高性能有机小分子太阳能电池的研究 

有机太阳能电池(organic photovoltaic cells,OPVs),具有柔性、制备工艺简单和易于大面积成膜等突出优点,是非常有潜力的下一代可再生能源。要实现OPV器件的商业化,高效率、高稳定性以及低成本是三个关键因素。目前,OPV器件的发展已经进入商业化的前期阶段,但其较高的成本以及有待于进一步提高的效率...
电子科技大学  博士论文  2013年 下载次数(1049)| 被引次数(0)

Pentacene基有机薄膜晶体管性能改善机制的研究 

本论文就如何改善和提高pentacene基有机薄膜晶体管的性能以及性能改善的机理进行了研究。主要针对现有pentacene基OTFT器件所存在的问题,研究了栅极绝缘层的种类、界面修饰层对器件性能影响机制、pentacene薄膜的相态变化、结晶对器件性能影响的规律、pentacene薄膜晶粒的大小对OTFT器...
北京交通大学  博士论文  2009年 下载次数(631)| 被引次数(6)

90nm CMOS器件强场可靠性研究 

当集成电路工艺进入到90nm节点以后,器件的可靠性问题将成为延缓集成电路加工水平沿着Moore定律继续延伸的主要困难之一。研究已经发现在90nm工艺中,无论是NMOS器件还是PMOS器件,大多数的可靠性问题都在加剧,除了尺寸减小导致电场增强因素,工艺的改进也会增加新的可靠性问题。本论文主要对90nm工艺中的...
西安电子科技大学  博士论文  2006年 下载次数(660)| 被引次数(7)

影响OLED寿命因素的研究 

自从有机电致发光器件(OLED)被发明以来,其性能有了很大程度的提升,虽然目前OLED已经实现初级产业化,但仍然有一些问题亟需去解决,比如器件的稳定性和寿命仍不能满足人们的要求。本论文针对器件的寿命问题,通过测量在不同驱动电压下器件的温度、亮度、电流和效率等参数随时间的变化规律,采用不同功能层厚度及其掺杂来改变器件的性...
陕西科技大学  硕士论文  2018年 下载次数(349)| 被引次数()

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