阻变存储器读写电路设计方法研究 

由于忆阻器具有体积小、集成度高、功耗低、非易失性等特点,所以,在忆阻器的众多应用领域中,阻变存储最具前景。从而,对忆阻器的读写操作进行研究成为了忆阻器研究的基础课题。本文围绕忆阻器的读写电路这一课题进行了相关研究,开展了如下工作:第一章为绪论,介绍了本文的研究背景与意义,并概述了国内外对忆阻器及其读写电路的研究现状,同...
东南大学  硕士论文  2017年 下载次数(100)| 被引次数()

阻变存储器特性研究及读写电路设计 

阻变随机存储器具有低压、高速、低功耗、结构简单、与CMOS传统工艺兼容、低成本、高密度等优势而越来越受到广泛的关注,被认为是下一代可能取代闪存而成为主流存储产品的一种新型存储器。同时,由于纳米电子学的发展,给集成电路的发展带来了新的机遇,阻变存储器作为一种具有很好技术潜力的新型存储器,将有望在众多领域得到广泛的应用。目...
华中科技大学  硕士论文  2013年 下载次数(524)| 被引次数(6)

相变存储阵列预读写电路设计与实现 

作为具有巨大发展潜力的非易失存储设备,相变存储器(Phase Change Memory)具有低功耗、速度快、多值存储、与CMOS工艺兼容等优势,在近年来发展迅猛。其利用相变材料在晶化与非晶化的不同状态下电阻值差异来存储不同的数据。缩小相变存储器的存储单元尺寸,是提高存储密度的主要方法,然而提高存储密度需要应对相变存储...
华中科技大学  硕士论文  2018年 下载次数(15)| 被引次数()

基于忆阻的读写电路设计及其应用研究 

随着芯片集成技术的日趋成熟,摩尔定律受到了挑战。目前存储技术受到了材料,工艺等方面的限制,已经发展到了瓶颈。而忆阻由于其阻变特性,非易失性以及其纳米级的尺寸,满足了对存储器大容量、高速度和低功耗的要求,可以用于解决目前在存储技术上遇到的难题。本文介绍了目前主流的存储技术以及由于忆阻的问世所带来的新兴存储技术,对忆阻在存...
华中科技大学  硕士论文  2016年 下载次数(134)| 被引次数()

一种新型EEPROM译码及读写电路 

介绍了一种新型的EEPROM译码和读写电路,包括EEPROM存储单元、译码电路、读写电路和电压转换开关电路。阐述了普通EEPROM译码及读写电路的工作原理,以及将其应用于实际IC卡系统中所存在的操作上的不足之处;提出了一种新型EEPROM译码和读写电路的工作过程及优点。电路模拟表明,该设计可以获得理想的结果。
《微电子学》  1997年 第05期 下载次数(98)| 被引次数(0)

忆阻器读写电路的设计 

随着蔡少棠提出了忆阻器的概念以后,忆阻器被认为是除电阻器、电容器、电感器外的第四种基本电路元件,它描述了电路理论中磁通量φ和电荷量q之间的关系。在随后一段时间里忆阻器的研究没有太大的进展,直到2008年HP实验室制出了忆阻器实物才证实了蔡少棠的这一基本理论。因为忆阻器具有纳米级尺寸及记忆功能,在忆阻器模型分析、基础电路...
武汉科技大学  硕士论文  2014年 下载次数(304)| 被引次数(2)

基于STT-MRAM的高速cache设计与实现 

随着工艺特征尺寸持续减小,泄漏功耗占总功耗的比例正逐年上升。在中央处理器中有超过一半的面积和泄漏功耗都是由于高速存储cache产生的,高速缓存的静态漏电流和面积正成为制约存储器发展的瓶颈。现在普通高速缓存由静态随机存储器SRAM构成,SRAM虽有着读写速度能与CPU匹敌的趋势,但是其发展受到巨大的面积和不可消除的泄漏功...
西安电子科技大学  硕士论文  2016年 下载次数(201)| 被引次数(0)

阻变存储器外围电路的设计与实现 

随着信息时代的发展,存储技术也在飞速地进步。为了能够满足大规模存储系统的要求,密度更高、尺寸更小、运行速度更快、可擦除次数更多的新型存储器件成为业界研究热点。如今,以纳米交叉结构为基础的阻变存储器,以其卓越的存储优势,在集成电路领域得到了广泛关注。阻变存储器具有高存储密度、低功耗、尺寸小、与CMOS工艺兼容等特点,是存...
国防科学技术大学  硕士论文  2015年 下载次数(145)| 被引次数(1)

新型相变随机存储器单元仿真系统研制 

硫属相变随机存储器(Chalcogenide based phase-change Random Access Memory,CRAM)利用存储介质的可逆相变实现信息存储,以其优越的性能满足了存储器的高速存储、非易失性、抗辐照性等的发展需求,将成为未来存储器主流产品之一。 本论文综合考虑CRAM存...
华中科技大学  硕士论文  2009年 下载次数(86)| 被引次数(2)

高性能微处理器中缓存器(CACHE)的后端设计 

CACHE设计是高性能微处理器设计的一个关键部分。本文的研究重点在于如何用静态存储器(SRAM),实现一个速度达到1GHZ的大容量片内CACHE。从电路设计和版图设计两方面探索CACHE的设计方法。 本文着重研究了CACHE的电路结构,存储器单元(CELL)和读写电路的设计,译码器电路设计方法等。介绍...
上海交通大学  硕士论文  2007年 下载次数(269)| 被引次数(1)

一种高速低功耗EPROM读写电路 

本文主要介绍一种高速低功耗EPROM读写电路,包括EPROM单元管、读写电路,以及产生写EPROM所需高电压的高电压发生器,并着重分析了EPROM读写电路低功耗的特点。
《微电子学》  1995年 第03期 下载次数(52)| 被引次数(0)

一种新型的阻变存储单元写电路 

传统的写电路使用一个固定的脉冲电压来改变阻变存储单元的状态,但是研究发现当其阻值改变后若电流还继续流经单元,则会对其内部结构产生影响,降低阻变存储单元的寿命。本文提出一种新型的阻变存储单元写电路,该电路可以实时监测阻变单元的状态,一旦单元发生反转就立即停止对其写入,大大降低了功耗,保证了写入的正确率,而且降低了过多写电...
第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛…  2016-08-11 下载次数(6)| 被引次数()

燃气表防高压控制器 

燃气表防高压控制器;;本实用新型提供一种燃气表防高压控制器,其电路包括CPU处理器、低压检测电路、高压检测电路、流量采样电路、防磁检测电路、IC卡读写电路、状态存储电路、阀门控制电路及显示电路,其连接关系是,低压检测电路、流量采集电路、防磁检测电路及高压检测电路输出接CPU处理器输入,CPU输出接阀门控制电路及显示电路...
成都秦川科技发展有限公司  科技成果  2006年 下载次数(1)| 被引次数(0)

基于金属氧化物TFT的EEPROM读写电路模块研究 

金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MO TFT)具有迁移率高、均匀性好等方面优点,在数字电路领域应用潜力巨大,涉及显示面板电路、射频识别标签电路等。本文在传统互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMO...
华南理工大学  硕士论文  2019年 下载次数(9)| 被引次数()

忆阻器的电路特性研究及其应用 

忆阻器是蔡少棠教授从对称性角度预言提出的一种二端无源电子元件,用于描述电路理论中电荷q和磁通量φ之间的关系。忆阻器作为一种具有记忆性的元件,其阻值和内部状态有关。这一特性使得忆阻器比一般的电路元件具有更为广阔的应用前景。本论文以惠普实验室发现的忆阻器器件为研究对象,在分析其物理模型的基础上,我们研究了这类忆阻器的电路特...
苏州大学  硕士论文  2016年 下载次数(519)| 被引次数(4)

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