半导体光放大器偏振相关性及其宽谱特性研究 

半导体光放大器(SOA)由于体积小、成本低、易与其他光电器件集成,在未来的全光通信系统中将发挥重要的作用。本文主要围绕SOA 的偏振相关性和宽谱特性,对SOA 进行了深入的理论和实验研究。增益对偏振态的无关性是光通信对SOA 的基本要求之一。本文应用能带工程理论,研究了不同应变、张应变量大小、量子...
华中科技大学  博士论文  2005年 下载次数(784)| 被引次数(12)

半导体光放大器及测试研究 

随着宽带传输和宽带接入以及全光网的组建和发展,大带宽偏振不灵敏半导体光放大器(semiconductor optical amplifier, SOA)由于其易于与其它器件集成,体积小,具有快的动态增益响应,非线性好,饱和输出大,可实现无损操作等特点,在光通信网络中,成为光纤通信发展,全光网组建以...
长春理工大学  硕士论文  2002年 下载次数(594)| 被引次数(3)

实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 

一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法,包括如下步骤:(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层;(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的高折射率SiON补偿层;(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半;(4)火焰...
中国科学院半导体研究所  中国专利  2005年 下载次数(0)| 被引次数(0)

宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器 

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA的工作电流范围内,获得了大于 70nm的 3dB光带宽;在 0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于 1dB.对于 1 55μm 的信号光,在 200mA ...
《半导体学报》  2005年 第03期 下载次数(82)| 被引次数(1)

大带宽半导体光学放大器的理论分析 

提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大...
《半导体学报》  2002年 第09期 下载次数(69)| 被引次数(0)

偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法 

一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法,包括如下步骤:1)利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜;2)利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图形;3)采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术,在光刻后的铟磷衬底上依次生长n型铟磷缓冲层、铟镓砷磷有源层以及p型铟磷盖层;4)利用腐...
中国科学院半导体研究所  中国专利  2003年 下载次数(0)| 被引次数(0)

基于半导体光放大器的全光网络关键技术研究与应用 

全光信号处理技术是实现未来高速、大容量、高可信型全光网络的关键所在。近年来,半导体光放大器(SOA)以其体积小、功耗低、易于与其他光学器件集成等优势成为全光网络中实现全光信号处理技术的关键器件之一。本论文主要基于SOA的两种非线性效应,非线性偏振旋转(NPR)效应和交叉相位调制(XPM)效应,对全光网络关键...
北京邮电大学  博士论文  2010年 下载次数(451)| 被引次数(8)

1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长 

采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。
《半导体光电》  2003年 第04期 下载次数(33)| 被引次数(0)

适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 

研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0mA偏置时可达 0 1dB。在较大的电流范围内 ,峰的半高全宽 (FWHM)...
《中国激光》  2003年 第01期 下载次数(38)| 被引次数(1)

偏振可控光电子器件的制备方法 

本发明一种新型偏振可控光电子器件的制备方法,是利用波长为1.3μm-1.63μm的铟镓砷(磷)/铟磷材料,同时引进不同厚度的张应变、压应变或晶格匹配层,随意改变各应变层的位置,从而获得对TE模和TM模具有相同放大增益效果的偏振不灵敏光学放大,实现对TE、TM模式增益的控制。
中国科学院半导体研究所  中国专利  2002年 下载次数(0)| 被引次数(0)

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究 

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80~ 12 5mA电流范围内 ,获得了偏振灵敏度≤ 0 .6dB ,最小可达 0 ...
《液晶与显示》  2004年 第02期 下载次数(49)| 被引次数(0)

偏振不灵敏电吸收调制器制作技术 

偏振不灵敏电吸收调制器制作技术;;该种偏振不灵敏电吸收调制器采用多量子阱纳米尺寸制作,利用量子限制Stark效应(QCSE)工作的电吸收器件。调制速率快,尺寸紧凑。在光通讯干线网中对传输信号作外调制,或作高速光开关、光孤子发生器等。产品性能指标包括,调制速率>10Gb/s, 插入损耗<15dB, 偏振相关损耗<1dB,...
中国科学院半导体研究所  科技成果  2007年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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