体硅/SOI MOSFET与LDMOS的非准表态效应研究 

在工作频率进入吉赫兹以后,非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的重要因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三种,典型器件的非准静态效应开展深入研究。 1.体硅MOSFET非准静态效应研究。首先,开发了基于MATLAB的PSP模型的仿真工具包,用于分析沟道表面势与表面电荷分布和计...
南京邮电大学  硕士论文  2011年 下载次数(130)| 被引次数(0)

类SOI体硅MOSFET器件新结构与模拟研究 

近年来,SOI(Silicon on Insulator)CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)技术由于其高速、低功耗等优点而得到广泛的应用,但其自身的导热性差、由浮体结构导致的寄生效应等缺点限制了SOI技术在小尺寸领域的进一步发展。类SOI结构的出现,基于的主要思想...
哈尔滨工程大学  硕士论文  2015年 下载次数(24)| 被引次数()

SOI MOSFET单粒子效应电荷收集机制研究 

随着半导体技术的不断进步,越来越多的半导体器件应用于航天技术,其单粒子效应已经成为一个影响微电子器件可靠性的重要因素。作为一种器件辐射加固的方法,绝缘衬底上硅(SOI)工艺有许多优点,例如较低的功耗、较快的速度、无闩锁、较强的抗单粒子翻转和瞬时辐射能力等。但是,由于SOI MOS器件的独特结构,可能产生多种寄生效应。研...
西安电子科技大学  硕士论文  2014年 下载次数(450)| 被引次数(1)

体硅、SOI和SiCMOS器件高温特性的研究 

首先介绍了体硅 MOS器件在 2 5~ 30 0℃范围高温特性的实测结果和分析 ,进而给出了薄膜 SOI MOS器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析 ,最后介绍了国际有关报道的Si C MOS器件在 2 2~ 4 50℃范围的高温特性。在上述研究的基础上 ,提出了体硅、SOI和 Si C MOS器件各自所适用的温...
《固体电子学研究与进展》  2000年 第01期 下载次数(217)| 被引次数(7)

单管体硅,SOI及DSOI MOSFET热分析 

本文简单介绍了SOI和 DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及 DSOI MOSFET的热阻模型。进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DSOI MOSPET的热学特性进行数值计算,比较并分析了其数值计算结果。
《工程热物理学报》  2002年 第04期 下载次数(122)| 被引次数(4)

FinFET SRAM的瞬时剂量率效应研究 

随着航天事业的蓬勃发展,人们越来越认识到辐射环境中高能粒子对电子系统的瞬时辐射损伤不容忽视,辐射导致的软错误甚至永久性损伤严重威胁电子系统的可靠性。目前,半导体工艺节点已进入14nm,3D FinFET器件取代了平面MOSFET器件成为主流工艺技术。考虑到FinFET与传统平面MOSFET的结构性差异所引起辐射效应的变...
西安电子科技大学  硕士论文  2017年 下载次数(136)| 被引次数()

基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究 

随着器件特征尺寸的减小,体硅CMOS遇到了许多技术上的问题和挑战,短沟道效应(SCE)和二极管泄漏电流的增加使得体硅技术很难遵循摩尔定律继续向前发展。相比于体硅CMOS技术,全介质隔离技术使得SOI拥有众多的优点,如消除了体硅CMOS的闩锁效应、功耗低等。电路仿真是IC电路设计的基础,要求器件有精确的模型。虽然BSIM...
杭州电子科技大学  硕士论文  2015年 下载次数(91)| 被引次数(0)

一种体硅MOSFET结构 

本发明公开了一种体硅MOSFET结构。该结构包括:p+层(2)和n-层(3);其中,所述p+层(2)和所述n-层(3)直接接触,n-层使用宽禁带的6H-SiC材料。该结构提高了体硅结构的抗辐照能力。相对于SOI技术而言,该结构改善了自加热效应,消除了总剂量效应,降低了成本。
哈尔滨工程大学  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

双轴应变硅MOS器件的自热效应研究 

随着集成电路的快速发展,等比例缩小技术已经不能满足摩尔定律,应变硅MOS器件成为后硅时代研究的热点。应变硅技术通过拉伸或压缩硅晶格提高沟道载流子迁移率,在不减小器件尺寸的情况下,仍可提高器件性能;同时应变硅技术与传统体硅工艺兼容,减少了改善工艺设施所带来的投资,降低了生产成本。研究应变硅MOS器件的性能以及可靠性问题也...
西安电子科技大学  硕士论文  2011年 下载次数(151)| 被引次数(0)

新型应变SGOI/SOI MOSFET的结构设计及性能分析 

应变硅材料迁移率高、能带结构可调,且其应用与硅工艺兼容,是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。而基于SOI技术的新型器件被认为是纳米范围内具有应用前景的器件结构。本文从器件结构、物理模型等方面对新型应变SGOI/SOI MOSFET进行了分析研究。主要的研究工作和成果如下...
西安电子科技大学  博士论文  2011年 下载次数(503)| 被引次数(2)

SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究 

研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究...
《微电子学》  2011年 第03期 下载次数(127)| 被引次数(0)

薄膜双栅MOSFET电流模型及其温度效应的研究 

薄膜双栅MOSFET是一种新型的高速度、低功耗MOSFET。与普通MOSFET相比,该器件具有很多优越的特性,如较高的跨导、优良的亚阈值斜率特性、较高的载流子迁移率、短的延迟时间、优良的频率特性、对短沟道效应的抑制性能、较小的寄生效应、较强的抗辐射能力等。 随着现代科技的发展,高温微电子技术逐渐为该领域重要的前沿...
安徽大学  硕士论文  2012年 下载次数(194)| 被引次数(0)

全耗尽SOI MOSFET源/漏寄生电阻半解析模型的研究 

MOSFET是当前集成电路使用最广泛的半导体器件,也是数字电路、模拟电路和存储器电路的基本模块。器件特征尺寸的减小,给集成电路带来了诸多方便,例如集成电路集成度的提高减小了电路的面积,降低了制造成本;电路的工作速度更快,实现的功能更加丰富等。但是特征尺寸的降低必然也会给MOS器件带来负面的影响,影响器件的工作性能。为了...
安徽大学  硕士论文  2018年 下载次数(56)| 被引次数()

硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究 

本文对硅基肖特基源漏MOSFET(简称SBSD-MOSFET)进行模拟研究。SBSD-MOSFET用肖特基接触代替了pn结来做MOSFET的源漏区。这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应,能大幅度减小器件尺寸。其制备工艺简单,避免...
西安电子科技大学  硕士论文  2005年 下载次数(387)| 被引次数(2)

深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析 

短沟效应将成为限制MOS器件进一步缩小的主要因素。利用求解Poisson方程的变分方法对短沟效应进行了分析,导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。同时考虑了栅介质、沟道耗尽层和埋层SiO2中的二维效应,结果只与边界条件与长沟解的差有关,具有清晰的物理意义。均匀掺杂沟道体硅MOSFET、本征掺杂沟道体硅MOS-FE...
《清华大学学报(自然科学版)》  1999年 第S1期 下载次数(105)| 被引次数(3)

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