Si-Al合金中初晶硅与共晶组织分离调控机制研究 

冶金法作为一种新型优良的太阳能级多晶硅制备工艺,具有绿色、低能耗、工艺简单等优点,因此被广泛研究。合金凝固精炼法是冶金法中一种具有低温精炼、高效除杂等优势的新工艺方法。合金凝固精炼法的主要原理是:多晶硅在再结晶析出的过程中,杂质在硅固液相中会产生分凝现象,大量的杂质富集在液相熔体中从而达到净化初晶硅的目的。但是由于初晶...
大连理工大学  硕士论文  2018年 下载次数(7)| 被引次数()

SiGe HBT性能增强的技术研究 

SiGe异质结双极晶体管(Hetrojunction Bipolar Transistors,简称HBTs),由于与Si标准工艺兼容、基区能带可裁剪,因此,具有高的性能/价格比,且在频率特性、功率特性等方面取得了引人瞩目的成就。但是,由于体硅(bulk Si)SiGe HBT基区的SiGe能隙小(与Si比),击穿电压(...
北京工业大学  博士论文  2017年 下载次数(76)| 被引次数()

体硅FinFET器件单粒子瞬态若干关键影响因素研究 

随着我国航天技术的飞速发展,空间集成电路抗辐照设计及相关辐照效应机理研究已成为学术界和工业界重点关注的问题。然而,纳米工艺尺度下,器件尺寸持续缩减,电路工作电压不断下降,时钟频率不断增加,使得单粒子瞬态(SET)导致的软错误已经成为影响纳米集成电路抗辐照性能的关键问题。因此,伴随着FinFET技术逐渐成为CMOS集成电...
国防科学技术大学  博士论文  2017年 下载次数(64)| 被引次数()

SOI和体硅混合晶圆结构及其制备方法 

本发明公开了SOI和体硅混合晶圆的结构和制备方法,以绝缘体上硅(SOI)晶圆为衬底,制备SOI结构与体硅结构共存的混合晶圆,以作为光路电路单片集成芯片的衬底。SOI结构和体硅结构并存的混合晶圆,其特征在于,混合晶圆由SOI结构部分和体硅部分混合组成;绝缘体上硅部分包括顶硅...
上海硅通半导体技术有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

体硅湿法深刻蚀的保护方法 

本发明提出了一种体硅湿法深刻蚀的保护方法,所述体硅的一个表面上形成有待转移的图形化结构层,所述图形化结构层的远离所述体硅的一个表面与转移基底相连,该方法包括:在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶,以便形成密封胶层;在密封胶的表面涂敷黑...
清华大学  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

体硅反射式单级衍射光栅的制作方法 

本发明提供一种厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法。所述方法是先利用电子束直写光刻制备薄硅反射式单级衍射光栅,再利用晶圆低温键合工艺,把薄硅反射式单级衍射光栅与厚体硅键合,形成厚体硅反射式单级衍射光栅。本发明解决了现有技术中无法制作厚体硅反射式单级衍射光栅的技术问题,而且,...
中国科学院微电子研究所  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种适用于体硅CMOS可抑制寄生闩锁效应的器件结构 

本发明公开了一种适用于体硅CMOS可抑制寄生闩锁效应的器件结构,包括设置有保护环结构的NMOS和PMOS,其特征在于,还设置有势垒阱结构,势垒阱设置于NMOS与PMOS的保护环之间,其材质为与衬底杂质类型相反的掺杂区,其深度与体硅CMOS阱的结深相同,势垒阱的电位处于悬浮状态。
北京奥贝克电子股份有限公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法 

一种体硅可调谐光学滤波器由体硅调谐腔,高掺杂的体硅电阻加热器,下悬臂梁、上悬臂梁,表面高掺杂的左悬臂梁、表面高掺杂的右悬臂梁,金属导线、应力平衡金属导线、左引线区域,右引线区域和支撑SOI硅基底11构成。其采用高电阻率的SOI硅片并利用体硅加工工艺制作获得。包括:(a)S...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

图形化SOI技术研究 

近年来,SOI技术已经发展成为制造ULSI集成电路的主流技术之一。但是,SOI器件存在着浮体效应和自热效应。另外,为了获得功能更强大、价格更低廉的芯片,在SOI衬底上集成多种功能(如逻辑电路、存储器等)形成系统芯片(SOC)也是当今集成电路领域的研究热点之一。然而,有一些电路(如RF电路、成像电路和DRAM等)在SOI...
中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  博士论文  2004年 下载次数(354)| 被引次数(2)

基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法 

本发明公开了一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法,包括:提供一体硅衬底,所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层;对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀,形成鳍形有源区,剩余的SiGe层和Si层作为源漏区;通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层,形成硅纳米线,所述...
上海华力微电子有限公司  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

体内场调制的体硅LDMOS器件 

本发明涉及半导体功率器件的技术。本发明解决了现有常规体硅LDMOS器件只关注该器件表面电场优化的问题,提供了一种体内场调制的体硅LDMOS器件,其技术方案可概括为:体内场调制的体硅LDMOS器件,其在第一型杂质衬底中水平设置有第二型杂质浮空层,第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层之间的...
四川长虹电器股份有限公司  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

基于体硅的三维阵列式SiNWFET制备方法 

本发明公开了一种基于体硅的三维阵列式SiNWFET制备方法,包括:提供一体硅衬底,所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层;对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀,形成阵列式鳍形有源区,剩余的SiGe层和Si层作为源漏区;通过选择性刻蚀去除所述阵列式鳍形有源区中的SiGe层,形成三...
上海华力微电子有限公司  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

太赫兹体硅MEMS多层波纹喇叭天线 

太赫兹技术是目前世界各国研究的重中之重,而太赫兹传输线和太赫兹天线性能的探索对太赫兹技术的应用具有重要的现实意义,如何设计并实现高集成度的太赫兹天线是太赫兹系统发展的必然方向。微机电系统(MEMS)技术因其高精度、高一致性、低成本等特点可以用来制备太赫兹天线和功能器件。在上述背景下,本文基于MEMS技术研究了太赫兹频段...
北京理工大学  硕士论文  2016年 下载次数(366)| 被引次数(3)

具有掺杂电极的压力传感器 

在一个实施例中,一种传感器装置包括:体硅层;第一掺杂物类型的所述体硅层的第一掺杂区;第二掺杂物类型的所述体硅层的第二掺杂区,其中所述第一掺杂物类型是不同于所述第二掺杂物类型的掺杂物类型,所述第二掺杂区位于所述体硅层的上表面,并且具有由所述第一掺杂区界定的第一掺杂部分;在所...
罗伯特·博世有限公司;G·奥布赖恩;A·格雷厄姆  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

基于体硅的纵向堆叠式后栅型SiNWFET制备方法 

本发明公开了一种基于体硅的纵向堆叠式后栅型SiNWFET制备方法,包括:提供一体硅衬底,所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层;对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀,形成鳍形有源区,剩余的SiGe层和Si层作为源漏区;通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层,形成硅纳米线...
上海华力微电子有限公司  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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