用于存储器单元的数据储存方法及其存储器单元 

本发明涉及一种用于存储器单元的数据储存方法及其存储器单元。用于存储器单元的数据储存方法包含以下步骤:首先,分割存储器单元为多个小存储器群;接着,定义各个小存储器群的临界电压分布区域;其次,依据各个小存储器群的临界电压分布区域来定义各个小存储器群的多个写入验...
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法 

防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法,包括:一超循环氮化物只读存储器(NROM)元件耦合至一NROM阵列,使得当NROM阵列中的NROM元件被抹除时,该超循环NROM元件的两个位也被抹除,随后程序化该超循环NROM元件的右侧位,以便从超循环NROM元件未程序化的左侧位获得该超循...
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元 

本发明提供一种存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:获得多个存储单元的第一临界电压分布;将第一临界电压分布分组成多个第一临界电压群组;获得存储单元的第二临界电压分布;将第二临界电压分布分组成多个第二临界电压群组;若某一存...
群联电子股份有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

可改善抹除操作特性的非易失性存储元件 

一种进行抹除操作的方法,适用于具有多个存储单元的非易失性存储元件。此方法是将至少一个在程序化之前在一抹除阶段具有在一第一区的临界电压值的存储单元程序化,该存储单元在程序化之后具有在一第二区的临界电压值,其中该第二区的临界电压高于该第一...
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

触控板临界压力设定方法及装置 

一种触控板临界压力设定方法及装置,在此触控板临界压力设定方法中,首先于要进行设定时进行多次触碰,以借此取得多个压力值。接下来,将所取得的压力值平均,以取得平均压力值,且以此平均压力值本身或是以此平均压力值乘上某一倍数后所得的值为临界压力值。此外,前述的压力值在电阻式触控板的状况下可以...
宏达国际电子股份有限公司  中国专利  2003年 下载次数(0)| 被引次数(0)

存储器装置及其操作方法 

一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括多个多阶存储单元及控制器。控制器依据目标编译码将输入资料进行编码以产生多个编码子集,并将上述编码子集存入上述多阶存储单元。之后,控制器可从上述多阶存储单元读取资料,且进行错误校正程序以将所读取的资料校正并回复成回复资料,并根据上述目标编译码解码上述的回复资料。由此,以扩大上述多...
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

以NAND为基础的NMOS NOR闪存单元,以NAND为基础的NMOS NOR闪存阵列及该单元和该阵列的形成方法 

一种NOR非挥发性闪存组件具有NAND非挥发性闪存组件的存储单元尺寸小且低电流编程过程以及NOR非挥发性闪存组件的快速,异步随机存取。该NOR非挥发性闪存组件包括一由NOR非挥发性闪存电路组成的阵列。每个NOR闪存电路包括多个电荷保存晶体管串连成一NAND串。其中最上端的电荷保存晶体管的漏极连接到与串连的电荷保存晶体管...
奈米闪芯积体电路有限公司  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氮化储存记忆单元的多级操作 

一种多级氮化储存记忆单元的程序化方法,适于储存对应多个不同临界电压准位的不同的程序化状态。此方法为,提供一可变电阻,以提供多个不同电阻值。而且,将氮化储存记忆单元的一漏极端与所选定的电阻值的其中之一连接,而每一电阻值对应这些临界电压准位的其中之一。并且,通过所选定的...
华邦电子股份有限公司  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

多位准记忆单元的操作方法及用其作储存资料的集成电路 

本发明是有关一种多位准记忆单元的操作方法。该方法包括:(a)操作多位准记忆单元,至多位准记忆单元的一临界电压大于预先程序化临界电压;以及(b)操作多位准记忆单元,至多位准记忆单元的临界电压大于目标程序化临界电压、小于预先程序化`#~临界电`@...
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有变动压降的位线偏压电路 

本发明揭露了一种具有变动压降的存储器架构的位线偏压电路。此压降是根据所选取被读取存储单元的临界电压或是流经所选取被读取存储单元的感测电流。
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种非挥发性内存结构及其方法 

本发明提供一种非挥发性内存结构及其方法。在多阶储存单元非挥发性内存系统中,是以NVM单元临界电压位准的状态来表示储存于NVM单元中的多位信息。NVM单元的临界电压位准的P个状态被分成N群临界电压位准,每一群又包含M个临界电压位准,其中P=N×M。通过施加一相对应栅电压,可...
闪矽公司  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

存储器编程方法以及数据存取方法 

一种存储器编程方法,适用于具有多个多电平存储器单元的与非闪存。存储器编程方法包括:执行第一编程操作以将多电平存储器单元从初始状态编程至第一目标状态;设定标记位为第一状态以指示对应的多电平存储器单元已执行第一编程操作;执行第二编程操作以将多电平存储器单元从第一目标状态编程至第二目标...
力晶半导体股份有限公司  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

存储单元写入方法及其应用 

一种存储单元写入方法及其应用,此方法包括下述步骤:获取存储阵列中至少一个存储单元的第一临界电压。识别存储单元的目标临界电压,并根据第一临界电压来决定用来使存储单元达到目标临界电压所需要的写入射击的数目。将存储单元所需数目的写入射击施加至存储单元。验证存储单元被施予此数目的...
旺宏电子股份有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

非易失性半导体存储装置 

提供一种非易失性半导体存储装置,能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置,以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成,在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到...
夏普株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所  中国专利  2009年 下载次数(0)| 被引次数(0)

将数据写入一闪存单元的方法以及控制装置 

本发明公开了一种将数据写入一闪存单元的方法以及控制装置,所述方法包含有:于第n次写入所述闪存单元时,判断要被写入所述闪存单元的一第n数据位的一数据极性;依据所述第n数据位的所述数据极性来选择性地对所述闪存单元的一浮栅注入一第n电荷量;于第n+1次写入所述闪存单元时,判断要被写入所述闪存单元的一第n+1数据位的所述数据极...
慧荣科技股份有限公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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