表面改性金属氧化物粒子分散液及其制造方法、表面改性金属氧化物粒子#硅酮树脂复合组合物、表面改性金属氧化物粒子#硅酮树脂复合物、光学构件以及发光装置 

一种表面改性金属氧化物粒子分散液等,其是在分散介质中分散表面改性金属氧化物粒子而成的,所述表面改性金属氧化物粒子在金属氧化物粒子的表面具有氢化硅烷基、疏水性官能团以及硅烷醇基,所述氢化硅烷基与所述硅烷醇基的比例为5:95以上且50:50以下。
住友大阪水泥股份有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

金属氧化物薄膜,沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 

本发明涉及一种包含β#MoO3的金属氧化物薄膜,该β#MoO3包含组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素。此外,本发明涉及一种经由溅射镀制造该种金属氧化物薄膜的方法;及一种包括金属氧化物薄膜的薄膜装置,该金属氧化物薄膜包含β#MoO3,该β#MoO3包含组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素。
攀时奥地利公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物层的制造方法和半导体元件的制造方法 

本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量%以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中,分散有在被氧化时成...
国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式…  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 

一种烧结体,其特征在于,包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O),Zn含量按ZnO换算为5~60摩尔%,Ga含量按Ga2O3换算为8.5~90摩尔%,Si含量按SiO2换算为0~45摩尔%,在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔%)、将按Gas...
捷客斯金属株式会社  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

包含微粒状的金属氧化物、金属氧化物水合物和/或金属氢氧化物、分散剂和有机分散介质的能流动的分散体 

本发明的主题是能流动的分散体,其包括:至少一种微粒状的金属氧化物、金属氧化物水合物和/或金属氢氧化物作为悬浮固体;分散剂;和有机的液态的分散介质,并且是分散剂的应用。
萨索尔化学品性能有限公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有各向异性结构的碱金属钛氧化物和钛氧化物以及包含这些氧化物的电极活性物质和蓄电装置 

本发明提供具有新的形状、在工业上有利的碱金属钛氧化物以及钛氧化物。一种碱金属钛氧化物,是对将含碱金属的成分的水溶液浸渗到多孔性的钛化合物粒子的细孔内以及表面而得到的物质进行烧成得到的,其具有二次粒子的形状,所述二次粒子是具有各向异性结构的一次粒子聚集而成的,一种钛氧化物,是将所述碱金属钛氧化物作为原料而得到的。二次粒子...
独立行政法人产业技术综合研究所;石原产业株式会社  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、氧化物半导体层、半导体元件及电子装置 

本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法,包含以下工序:前驱体层的形成工序,其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状,其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物...
国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式…  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

转移金属复合氧化物的制造方法及根据其制造的转移金属复合氧化物及利用其制造的锂复合氧化物 

本发明涉及一种锂复合氧化物的制造方法及根据其制造的锂复合氧化物,更详细地涉及一种在通过共沉淀反应制造锂复合氧化物时,根据镍的含量调整碱性溶液的量,从而,调整反应器内的pH,由此,改善粒子的致密度,并能够制造振实密度较高的高容量的锂离子二次电池。
汉阳大学校产学协力团  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

p-型氧化物半导体、用于制造p-型氧化物半导体的组合物、p-型氧化物半导体的制造方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置和系统 

p#型氧化物半导体,其包括:包含铊(Tl)的金属氧化物,其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。
株式会社理光  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 

本发明描述了包括多层电荷储存层的半导体存储设备和形成该半导体存储设备的方法的实施例。一般,设备包括:由覆盖在衬底上的表面的半导体材料形成的沟道,该沟道连接存储设备的源极和漏极;覆盖沟道的隧道氧化物层;以及多层电荷储存层,其包括在隧道氧化物层上的富氧、第一氮氧化物层和在第一氮氧化物层上的贫氧、第二氮氧化物层,其中第一氮氧...
赛普拉斯半导体公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

固体氧化物型燃料电池用电解质片、电解质支撑型电池、固体氧化物型燃料电池用单电池和固体氧化物型燃料电池 

本发明的固体氧化物型燃料电池用电解质片包含电解质成分。上述电解质成分由经氧化钪(Sc2O3)和二氧化铈(CeO2)稳定化且包含0.003摩尔%以上并小于0.5摩尔%的稀土类氧化物(选自除Sc和Ce外的稀土类元素中的至少任一种元素的氧化物)的氧化锆系氧化物...
株式会社日本触媒  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制备锂复合过渡金属氧化物的装置、使用其制备的锂复合过渡金属氧化物以及制备锂复合过渡金属氧化物的方法 

本发明涉及用于制备锂复合过渡金属氧化物的装置、使用其制备的锂复合过渡金属氧化物以及制备锂复合过渡金属氧化物的方法,其中所述装置包含在流体的流动方向上连续排列的第一混合器和第二混合器,所述第一混合器包含封闭结构,所述封闭结构包含:中空的固定圆筒;旋转圆筒,其具有与所述中空的固定圆筒的轴相同的轴且具有比固定圆筒的内径小的外...
株式会社LG化学  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物层及氧化物层的制造方法、以及具备该氧化物层的电容器、半导体装置及微机电系统 

本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外,氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果,能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。
国立研究开发法人科学技术振兴机构  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物超导体用组合物、氧化物超导线材以及氧化物超导线材的制造方法 

本发明的氧化物超导体用组合物在超导线材的制造中能够实现厚膜化、制造的高速化及低成本化。是用于形成REBaCuO(RE是选自Y、Nd、Sm、Gd、Dy、Eu、Er、Yb、Pr以及Ho中的至少1种元素)类的氧化物超导体的组合物。将组合物涂敷在基材上,经涂敷后,进行预煅烧热处理,来形成氧化物超导体的前驱体,并对其进行主煅烧热...
公益财团法人国际超电导产业技术研究中心;昭和电线电缆…  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

固体氧化物燃料电池用接合材料、固体氧化物燃料电池以及固体氧化物燃料电池模块 

本发明提供一种具有高接合力、并且接合时在与接合界面平行的方向上的收缩较小的固体氧化物燃料电池用接合材料。固体氧化物燃料电池用接合材料(1)包括玻璃陶瓷层(10)、以及约束层(11)。玻璃陶瓷层(10)包含玻璃陶瓷。约束层(11)层叠在玻璃陶瓷层(10)上。
株式会社村田制作所  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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