用于贫NOx捕捉的组合物 

本发明涉及用于处理气体的含有纳米粒子催化剂和NOx储存材料的基材,以及用于制备这种基材的载体涂料。也提供了制备纳米粒子催化剂和NOx储存材料的方法,以及制备含有纳米粒子催化剂和NOx储存材料的基材的方法。更具体而言,本发明涉及含有纳米粒子催化剂和NOs...
SDC材料公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

半导体装置,氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜,该金属氧化物膜的表面与接触`#...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

CIHT动力系统 

本发明提供一种电化学动力系统,其由氢至较低能量(分数氢)态的催化反应产生电动势(EMF),从而使自分数氢反应释放的能量直接转换成电,该系统包含至少两种选自以下物质的成分:H2O催化剂或H2O催化剂来源;原子氢或原子氢来源;形成H2O催化剂或H2...
布莱克光电有限公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

包括氧化物半导体层的晶体管可以具有稳定的电特性。另外,提供包括上述晶体管的高可靠性的半导体装置。半导体装置包括包含氧化物层和氧化物半导体层的多层膜、与多层膜接触的栅极绝缘膜及隔着栅极绝缘膜与多层膜重叠的栅电极。在半导体装置中,氧化物半导体层包含铟,氧化物半导体...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

带有拒水性透明被膜的基材及其制造方法 

本发明提供拒水性高、与基材的密合性、耐磨损性、耐擦伤性等提高了的拒水性透明被膜。一种带有拒水性透明被膜的基材,其特征是,由基材、和该基材表面的拒水性透明被膜构成,上述拒水性透明被膜由包含无机氧化物微粒的无机氧化物微粒层、和该无机氧化物微粒层上的保护涂层构成,拒水性透明被膜表面具有凹凸...
日挥触媒化成株式会社  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法,赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外,赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外,本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

电化学氢催化剂动力系统 

本发明提供一种电化学动力系统,所述电化学动力系统通过使氢转变至更低能态(分数氢)的催化反应来产生电动势(EMF),从而将从分数氢反应释放出的能量直接转换成电,该系统包含选自下述物的至少两种组分:催化剂或催化剂来源;原子氢或原子氢来源;用于形成催化剂或催化剂来源及原子氢或原子氢来源的反应物;引发原子氢催化的一种或多种反应...
布莱克光电有限公司  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

核壳型无机氧化物微粒的分散液、其制造方法及含该分散液的涂料组合物 

本发明涉及含有分散稳定性及透明性高、掺入涂膜时的耐光性及耐候性良好的核壳型无机氧化物微粒的分散液,该微粒由硅和选自铝、锆、锑的1种或2种以上的金属元素的复合氧化物被覆(壳层(c))表面处理粒子的表面而得,该表面处理粒子是以含钛金属氧化物微粒(a)为核粒子、其表面由锆等金属元素的水合物...
日挥触媒化成株式会社  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法 

一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法,包括步骤:在基底组件上形成氧化物组分;通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分,并在基底组件表面正上方留有非晶组分;以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。特定地,第一`#~...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

正极活性材料和利用这种正极活性材料的非水电解质二次电池 

一种具有大容量和改善的充电/放电循环特性的正极活性材料。非水电解质二次电池包括具有这种正极活性材料的正极(2)、负极(3)和非水电解质。采用由含有Ni和Co并包括层状结构的第一锂过渡金属复合氧化物和含有Ni和Mn并包括层状结构的第二锂过渡金属复合氧化物的混合物构成该正极活性材料。
索尼株式会社  中国专利  2004年 下载次数(0)| 被引次数(0)

质子导电固体电解质以及使用该电解质的燃料电池 

一种质子导电固体电解质,包含质子导电无机氧化物,该质子导电无机氧化物包括氧化物载体和被支撑在氧化物载体表面上的氧化物颗粒,氧化物载体含有由选自Ti、Zr、Si和Al的至少一种元素构成的元素Y,氧化物颗粒含有...
株式会社东芝  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

显示设备 

本发明涉及一种显示设备,包括:包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管,所述沟道形成区包括氧化物半导体;电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极;以及与所述像素电极相邻的液晶材料,其中,所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

晶体管及电子设备 

本发明的目的之一是使半导体装置具有良好的电特性或者提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置是包括第一氧化物膜的晶体管。第一氧化物膜包含铟、元素M以及锌,第一氧化物膜包括铟、元素M以及锌的原子数比满足铟:元素M:锌=xb:yb:zb...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜氧化物超导线材及其制造方法 

这种制造具有规定宽度的薄膜氧化物超导线材的方法包括:切割步骤,所述切割步骤用于在纵向方向上以规定宽度切割宽薄膜氧化物超导线材,所述宽薄膜氧化物超导线材通过经由中间层在带状金属基板上形成氧化物超导层而获得,其中,在所述切割步骤中,通过利用红外激光来照射宽薄膜`#~氧化物`@...
住友电气工业株式会社  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

包括氧化物半导体层的晶体管可以具有稳定的电特性。另外,提供包括上述晶体管的高可靠性的半导体装置。半导体装置包括包含氧化物层和氧化物半导体层的多层膜、与多层膜接触的栅极绝缘膜及隔着栅极绝缘膜与多层膜重叠的栅电极。在半导体装置中,氧化物半导体层包含铟,氧化物半导体...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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