梯级催化氧化控制微污染水源水处理过程中副产物生成量的方法 

梯级催化氧化控制微污染水源水处理过程中副产物生成量的方法,它属于水处理技术领域。本发明要解决目前单一催化剂催化臭氧氧化处理微污染水源水存在的天然有机物结构破坏严重、氧化副产物小分子有机酸和溴酸盐生成量比较高的技术问题。方法:将含溴离子水源水经混凝沉淀后梯级催化氧化,梯级催化氧化过程中水流速度为1~20m·h-1且臭氧投...
哈尔滨工业大学  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括:存储元件,包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管;用于储存所述存储元件的数据的电容器;以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及制造半导体装置的方法 

本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素,该驱动电路包括第一薄膜晶体管,该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

TFT基板及TFT基板的制造方法 

本发明目的在于,提供一种通过削减制造工序的工序数量就能够大幅度地降低制造成本、并且能够使制造合格率提高的TFT基板及TFT基板的制造方法。TFT基板的结构包括:基板;在基板上形成的n型氧化物半导体层;在n型氧化物半导体层上被沟道部隔离而形成的氧化物导电体...
出光兴产株式会社  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 

描述了一种至少部分还原铌氧化物的方法,其中该方法包括将铌氧化物和粉混合形成粉末混合物,然后将其热处理由此形成热处理的颗粒,将该该颗粒在允许氧原子从铌氧化物转移至铌粉的气氛中在足以形成氧还原的铌氧化物的时间和温度下反应,由此形成氧还原的铌`#~...
卡伯特公司  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 

描述了一种至少部分还原铌氧化物的方法,其中该方法包括将铌氧化物和粉混合形成粉末混合物,然后将其热处理由此形成热处理的颗粒,将该该颗粒在允许氧原子从铌氧化物转移至铌粉的气氛中在足以形成氧还原的铌氧化物的时间和温度下反应,由此形成氧还原的铌`#~...
卡伯特公司  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

石榴石化合物、氧化物烧结体、氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、电子设备以及图像传感器 

一种氧化物烧结体,其特征在于,以下述式(1)~(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素,0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且,以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al...
出光兴产株式会社  中国专利  2020年 下载次数(0)| 被引次数(0)

金属氧化物膜以及半导体装置 

金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌,且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外,在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20%以上且60%以下。
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置 

提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外,提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外,提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外,提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜,该金属`#~氧化物`@...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置 

提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二`#~...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,属于显示技术领域。其中,所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管,所述方法包括:通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。本发明的技...
京东方科技集团股份有限公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

以水为主的电化学氢催化剂动力系统 

本发明提供一种电化学动力系统,其由使氢催化反应至较低能态而产生电动势,从而使自分数氢反应释放的能量直接转换成电,该系统包含至少两种选自以下的组分:H2O催化剂或H2O催化剂来源;原子氢或原子氢来源;用于形成H2O催化剂或H2O催化剂...
辉光能源公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于去除硫氧化物的排气后处理装置及方法 

本发明涉及用于去除硫氧化物的排气后处理装置及方法,更具体地,涉及如下的用于去除硫氧化物的排气后处理装置及方法:在柴油机中燃烧燃料时生成排气,其排气通过排气后处理装置而被净化,在净化排气的过程中在设于排气后处理装置的催化器(DOC&SCR)中生成硫氧化物(SOx)而被层叠,本发...
斗山英维高株式会社  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及制造半导体装置的方法 

本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素,该驱动电路包括第一薄膜晶体管,该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及半导体装置的制造方法 

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且,制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置,该晶体管包括:第一氧化物层;第一氧化物层上的氧化物半导体层;与`#~...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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