薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、显示器和电子设备 

本公开提供薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、显示器和电子设备。薄膜晶体管包括:栅极电极、源极电极和漏极电极;氧化物半导体层,设置在栅极电极的一侧,在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜,该氧化物半导体层设置在不面对源极电极和漏极电极的区域中,并且该氧化物半导体层电连...
索尼公司  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体膜以及半导体装置 

本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外,通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域,且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体;氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

包括氧化物半导体的半导体装置的电特性因被可见光或紫外光辐照而改变。鉴于上述问题,一个目标在于提供包括氧化物半导体薄膜的半导体装置,其具有稳定的电特性和高可靠性。在氧化物绝缘层上形成厚度大于或等于1nm且小于或等于10nm的第一氧化物半导体层且通过热处理使其结晶,以形成第一...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法 

具有半导体基板(301);电阻变化元件(309),由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成,在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号,电阻值可逆地变化;以及MOS晶体管(317),构成于半导体基板(301)的主面;电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组...
松下电器产业株式会社  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中,该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管,执行加热处理(用于脱水化或脱氢化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体元件及其制造方法 

本发明目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质,诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有电压极性转换的功率开关 

本发明提供一种具有电压极性转换的功率开关,用于大电流功率开关转化电压极性的开关电路。特别地,它采用两套开关电路结构,一套开关电路实现常规的功率开关电路功能,即导通或截止大电流、交换电流导通方向、交换负载电压正负极;另外一套开关电路实现开关中的负载电压维持与采样开关功能,用于控制电路的正确判断和控制,这样避免了连接大功率...
曹先国  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着,为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对`#~氧化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

存储器装置、半导体器件和电子装置 

一个目的是提供一种存储器装置,该存储器装置不需要复杂制造过程,并且其功率消耗能够得到抑制,以及一种包括存储器装置的半导体器件。一种解决方案是提供保持数据的电容器以及控制存储器元件的电容器中存储和释放电荷的开关元件。在存储器元件中,诸如倒相器或拍频倒相器之类的倒相元件包括将输入信号的相位倒相并且输出信号。对于开关元件,使...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法 

一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法,包括步骤:在基底组件上形成氧化物组分;通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分,并在基底组件表面正上方留有非晶组分;以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。特定地,第一`#~...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物膜及其制造方法、与靶及氧化物烧结体的制造方法 

本发明之一的氧化物膜是包含选自由铌(Nb)及钽(Ta)所组成群中的1种过渡元素及铜(Cu)的氧化物的膜(可以包含不可避免的杂质)。另外,如图5的示出第1氧化物膜及第2氧化物膜的XRD(X射线衍射)分析结果的图所示,该氧化物膜是在XRD分析中未显示明确衍射峰的微...
学校法人龙谷大学  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

目的之一是提供可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置、批量生产性高的半导体装置以及这些半导体装置的制造方法。不产生氧缺损地去除残留在氧化物半导体层中的杂质并将氧化物半导体层纯化到极高纯度。具体而言,在对氧化物半导体层添加氧之后,对氧化物半导体层进行加热处理来去除杂质。为...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置、半导体装置的制造方法、晶体管基板、发光装置及显示装置 

本发明提供一种使活性层中使用金属氧化物的晶体管的阈值电压稳定的半导体装置,其包括第一金属氧化物层、薄膜电阻的值比所述第一金属氧化物大的第二金属氧化物层、与所述第一金属氧化物层电耦合的一对输入输出电极、和控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极,并按照所述控...
住友化学株式会社  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及该半导体装置的制造方法 

本发明涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管,其中,降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻,以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中,在氧化物半导体层上形成其导...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有改进的金属耐成尘腐蚀性的高性能合金 

本发明提供了一种耐金属成尘腐蚀的合金组合物。也提供了防止暴露于碳过饱和环境的金属表面上金属成尘的方法。该合金组合物包括合金(PQR)、和该合金(PQR)表面上的多层氧化物膜。该合金(PQR)包括选自Fi、Ni、Co及其混合物的金属(P),包括Cr、Mn、和Al、Si、...
埃克森美孚研究工程公司  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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