半导体装置 

一种半导体装置。所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括:绝缘膜;在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜;其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜;与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极;...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

发光装置 

提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

逻辑电路和半导体装置 

本发明涉及逻辑电路和半导体装置。在时钟门控技术被执行的逻辑电路中,储用功率被降低或者故障被抑制。该逻辑电路包括晶体管,其中,在没有供给时钟信号的时段,当源极端子和漏极端子之间存在电势差时,该晶体管处于截止状态。该晶体管的沟道形成区是使用氧化物半导体形成,在该氧化物半导体中,氢浓度被降低。具体地,...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置 

提供一种具有晶体管的半导体装置。该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分,第四绝缘膜包括第二部...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化铁-氧化锆系复合氧化物及其制造方法和废气净化催化剂 

本发明提供不使用铈并显示高储氧能力的复合氧化物。一种氧化铁-氧化锆系复合氧化物,其特征在于,是含有铁、锆和稀土元素的复合氧化物,Fe2O3、ZrO2和稀土元素氧化物的总计含量为90质量%以上,换算成Fes...
丰田自动车株式会社  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(1)

绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 

在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中,以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜:将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃;将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa;...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜晶体管 

本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜,其中,前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二`#~氧化物`...
株式会社神户制钢所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及半导体装置的制造方法 

一种使用氧化物半导体的半导体装置,其具有稳定的电特性和高可靠性。在具有氧化物半导体膜的底栅的晶体管的制造工序中,进行通过热处理的脱水化或脱氢化以及进行氧掺杂处理。具有受到通过热处理的脱水化或脱氢化以及氧掺杂处理的氧化物半导体膜的晶体管是具有高可靠性的晶体管,其中在偏压-热应力试验(B...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

提供开口率高且包括电荷容量得到增大的电容器的半导体装置。另外,提供耗电量低的半导体装置。包括:包括透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置于透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置于绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容器包括:用作一个电极的第一透光性导电膜、用作电介质的绝缘膜、以及隔着该绝缘膜与第一透光性...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 

本发明的课题在于,通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明的氧化物半导体薄膜,其中,所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钨的氧化物构成,并且,钨含量以W/In原子数比计为0.005~0.12,并且,所述...
住友金属矿山株式会社  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着,为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备 

本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜,使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射,由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案,多个电子衍...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

所公开的发明的一种方式是一种半导体装置的制造方法,其包括如下步骤:形成第一绝缘膜;对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧;在第一绝缘膜上形成源电极、漏电极及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜;对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子;在氧化物半...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜晶体管及其制造方法 

本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT,TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异,且应力耐受性优异。该TFT的特征在于,是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层;以及由选自In、Zn、Sn及G...
株式会社神户制钢所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体元件及其制造方法 

半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质,诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与`...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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