半导体装置 

本发明的一个方式提供一种性能高且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;覆盖第一晶体管的至少一部分的第一金属氧化物;第一晶体管及第二晶体管上的绝缘膜;以及绝缘膜上的第二金属氧化物。第一晶体管包括:第一栅电极;第一栅极绝缘膜;第一氧化物;第...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 

本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域;阈值电压为#1V以上且1V以下的区域;以及S值小于0.3V/decade的区域。
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法,赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外,赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外,本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中,在与栅极布线层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层,并且在形成该绝缘层的相同的步骤中,形成覆盖氧化物半导体层的叠层的...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置、半导体装置的制造方法以及显示装置 

提供一种将含有Cu的金属膜用于具有氧化物半导体膜的晶体管的新颖半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管,该晶体管包括:第一栅电极层;第一栅电极层上的第一栅极绝缘膜;第一栅极绝缘膜上的重叠于第一栅电极层的氧化物半导体膜;电连接于氧化物半导体膜的一对电极层;`#~氧化...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

反熔丝存储器单元 

一种具有可变厚度栅极氧化物的反熔丝存储器单元。所述可变厚度栅极氧化物通过以下步骤形成:在反熔丝晶体管的沟道区上沉淀第一氧化物;从沟道区的薄氧化物区移除第一氧化物;以及然后在薄氧化物区热生长第二氧化物。剩余的第一氧化物限定沟道...
赛鼎矽公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性,而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中,形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜),对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件 

为了提供新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体器件,非易失性锁存电路包括:锁存部分,具有循环结构,其中第一元件的输出电连接到第二元件的输入,并且第二元件的输出电连接到第一元件的输入;以及数据保存部分,配置成保存锁存部分的数据。在数据保存部分中,将使用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

通过抑制其电特性的变化来提供一种包括氧化物半导体的极可靠半导体器件。氧从设置在氧化物半导体层下面的基绝缘层以及设置在氧化物半导体层之上的栅绝缘层提供给其中形成沟道的区域,由此填充可能在沟道中生成的氧空位。此外,抑制通过氧化物半导体层中形成的沟道附近的源电极层或漏电极层从`...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括:绝缘层;绝缘层上的半导体层;与半导体层电连接的源电极层及漏电极层;半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜;以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层,其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形,以使实效的...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

提供一种半导体装置,其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括:氧化物半导体叠层,其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层;接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层;在`#~氧...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

制造半导体装置的方法 

可以使用更大的衬底,并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层,可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管,由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层,以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层;然后,通过在500...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

复合金属氧化物的制备方法、金属氧化物烧结体及回转窑 

一种复合金属氧化物的制备方法,其特征在于,所述复合金属氧化物的制备方法在将含碱金属的组合物进行烧成而得到复合金属氧化物时,将该组合物放置在与该组合物相接触的部分由金属氧化物成分形成的载置体上进行烧成,相对于该金属氧化物成分100重量份,该金属氧化物...
东邦原材料株式会社  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外,通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域,且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体;氧化物半导体膜具有稳定的导电...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

作为磷酸二酯酶抑制剂的1-苯基-2-吡啶基烷基醇的衍生物 

本发明涉及磷酸二酯酶4(PDE4)的抑制剂。更具体地,本发明涉及作为1-苯基-2-吡啶基烷基醇衍生物的化合物、制备这类化合物的方法、包含这类化合物的组合物及其治疗用途。
奇斯药制品公司  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(1)

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