模拟电路演化设计与负相关演化容错方法研究 

模拟电路是现代电子系统中不可缺少的一部分,为了使模拟电路在一些极端环境中能够稳定工作,对其进行容错性设计是非常重要的。电路容错是指:当电路中的某些部分发生故障时,整个电路依然能够工作在其性能指标所允许的范围之内。然而,当电子系统工作在极端复杂的环境中时,其所受到的影响可能是未知的,可能出现的故障也是未知和难以预测的。现...
中国科学技术大学  博士论文  2012年 下载次数(337)| 被引次数(5)

扩展FDTD算法研究 

随着微波集成电路日趋高频率、集成化方向发展,电路器件间表现出严重的电磁干扰和辐射效应,因此必须应用全波分析方法对有源器件进行建模。而时域有限差分法(FDTD)是最好的电磁场全波分析方法之一。本论文主要讨论了应用扩展FDTD算法对微波电路进行全域建模的一些相关技术。 首先,对FDTD方法的发展历史进...
西安电子科技大学  博士论文  2007年 下载次数(614)| 被引次数(11)

斩波串级调速系统暂态过程分析及控制与保护研究 

定子侧变频调速和转子侧串级调速均属于现代交流调速技术,变频调速从电机定子侧接入,电机输出的功率需要全部流过变频器,称为全功率控制;由于高压大功率电机的电流或电压很高,所以需要很好的解决电力电子元件并联技术或串联技术。串级调速设备从电机转子侧接入,其控制的功率为电机转差功率,最大仅为电机额定功率的14.815%,电机在5...
华北电力大学(北京)  博士论文  2017年 下载次数(118)| 被引次数(2)

双极晶体管微波损伤效应与机理研究 

随着脉冲功率技术的发展,借助各种脉冲功率手段产生的高功率微波(high-powermicrowave,HPM)使得当前的电磁环境日益恶化,电子系统更容易受到HPM的干扰和毁伤。半导体器件作为电子系统的基本组成部分,外界有意或无意的HPM可能经过各种耦合途径导致其产生扰乱出错、降级甚至毁伤作用。而半导体器件高集成度、低功...
西安电子科技大学  博士论文  2013年 下载次数(524)| 被引次数(21)

超深亚微米集成电路可靠性设计与建模方法 

为了适应SoC芯片性能的要求,VLSI的的密度和复杂度随着不断缩小的设计规则而不断增加。那么对于复杂的SoC芯片如何能够对其长期工作的可靠性进行评估就成为一个重要的问题。超深亚微米下的CMOS电路长期可靠性是由MOSFET的微观失效机制来决定的,对CMOS电路可靠性的评估和改善应该在失效模式分析和对基...
西安电子科技大学  博士论文  2005年 下载次数(1522)| 被引次数(15)

GaAs PHEMT强电磁脉冲损伤效应研究 

强电磁脉冲能够通过多种耦合途径进入电子系统内部,使其功能发生扰乱、退化甚至造成损伤,给系统的可靠性带来严重的威胁。半导体器件作为电子系统的核心单元,研究其在强电磁脉冲作用下的损伤效应和机理具有重要的意义。目前对于半导体器件强电磁脉冲效应的研究方法主要有实验研究和数值仿真研究。实验方法能够最真实地反映器件的损伤效应,但受...
西安电子科技大学  博士论文  2017年 下载次数(111)| 被引次数(1)

面向光伏逆变系统的氮化镓功率器件应用研究 

随着新能源并网技术的发展,对电力电子器件的性能和可靠性的要求也日益苛刻,以硅材料为基础的传统电力电子器件已经逐步逼近由材料物理特性决定的理论极限。作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有...
北京交通大学  博士论文  2015年 下载次数(1649)| 被引次数(19)

基于IGCT的多电平变换器若干关键问题研究 

将新型的大容量开关器件、多电平拓扑结构、高性能的系统控制策略结合起来,对变换器进行系统优化设计,是当前实现大容量电力电子变换器的有效途径和发展方向。论文主要以基于IGCT的三电平二极管箝位式变换器为研究对象,对IGCT应用特性与模型、多电平结构基本拓扑单元、多电平变换器中瞬时能量分析和优化设计以及相关控制策略等方面进行...
清华大学  博士论文  2004年 下载次数(2562)| 被引次数(50)

基于神经网络的微波射频器件建模 

为了提高产品性能、缩短设计周期、降低成本,设计人员往往依赖于计算机辅助设计(Computer-Aided Design,CAD)中高效、准确的器件模型。在微波及射频建模领域,传统建模方法需要不断尝试和反复修正模型,其建模周期和模型精度已经不能满足新器件的建模要求。近些年来,人工神经网络(Artificial Neura...
天津大学  博士论文  2015年 下载次数(445)| 被引次数(3)

无机块体忆阻器材料的制备、结构及其电学性质研究 

忆阻器是一种具有电阻记忆效应的基本无源电路器件。近年来,与其相关的电路理论、电子器件和材料的研究正日益引起学者的广泛关注。本论文拟在制备新型块体忆阻器材料并就其相应的性能和忆阻机理展开研究。 发现了Ag|AgI|Ag块体三明治结构中的忆阻现象和研究了其忆阻机理。采用液相化学反应的方法制备了γ-AgI纳米颗粒,并...
清华大学  博士论文  2013年 下载次数(515)| 被引次数(2)

具有共模漏电流抑制能力的单相无变压器型光伏逆变技术研究 

近年来,全球环境污染与能源短缺等问题不断加剧,世界各国纷纷从战略的角度加强扶持清洁可再生能源的发展。太阳能光伏发电因其资源丰富、清洁高效的特点而受到了广泛的关注。随着光伏发电行业相关技术的深入发展,光伏发电系统的成本不断降低,全球的光伏装机总量持续攀升。光伏发电技术的应用也已经进入了由政策驱动逐渐向市场驱动的过渡阶段。...
浙江大学  博士论文  2014年 下载次数(802)| 被引次数(25)

深亚微米CMOS工艺下全芯片ESD设计与仿真的研究 

本论文研究目的是从电路设计者的角度研究全芯片ESD保护设计方法。介绍深微米CMOS工艺下常用的ESD保护器件、电路与全芯片ESD保护网络的基本设计理念。论文以实现全芯片ESD验证与仿真为目标,采用现有的EDA工具,发展了集成于SOC设计流程的全芯片ESD设计方法。通过器件级仿真,分析了版图参数和布局对ESD保护器件性能...
上海大学  博士论文  2011年 下载次数(865)| 被引次数(4)

单轴应变Si NMOSFET模型及模拟技术研究 

为了进一步提高半导体器件的性能,除了改进器件结构外,各种新材料与新技术被不断地应用到器件的设计制造中。由于应变Si材料载流子迁移率高、带隙可调,且应变Si技术与传统的Si工艺兼容等优点,其已成为高速高性能器件与电路研究与应用的重要技术之一。在应变Si技术中,相对于双轴应变,单轴应变更适用于CMOS集成电路制造,在高速高...
西安电子科技大学  博士论文  2015年 下载次数(52)| 被引次数(0)

基于MMC的STATCOM器件选择与控制策略研究 

随着电力电子技术的快速发展,在高电压大功率的电力系统领域、高压大型电机的变频调速、高压直流输电、柔性交流输电等都需要大功率的电力电子装置。在实现高电压大功率变换的几种技术方案中,多电平变换器由于具有优化的输出波形、高转换效率等优点,近年来受到了较多的关注。模块化多电平作为多电平技术发展中的一项新技术,为大功率高电压变换...
武汉大学  博士论文  2012年 下载次数(749)| 被引次数(12)

频率选择表面宽带吸波体的参数化设计与优化 

频率选择表面(FSS)吸波体作为一种重要的新型结构型吸波材料,具有广阔的应用前景。系统的设计与优化方法对于推动FSS宽带吸波体的发展具有重要意义。本文研究了FSS吸波体的吸波机理及其模型的参数化方法,讨论了FSS宽带吸波体的性能评价方法、分析方法及其优化框架。通过建立合理的参数化模型,使用合适的评价与分析方法,针对单元...
华中科技大学  博士论文  2015年 下载次数(934)| 被引次数(6)

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