堆叠式半导体器件 

一种堆叠式半导体器件,包括:多个半导体芯片以及贯穿所述至少一个半导体芯片的导电通路。将所述半导体芯片堆叠在一起。通过所述导电通路将所述半导体芯片电连接,所述每一个导电通路具有贯穿对应所述半导体芯片的多个贯通连接。
尔必达存储器股份有限公司  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体集成电路器件及其制造工艺 

在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方,形成有外延层,外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。
株式会社日立制作所  中国专利  1996年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种集成电路器件散热结构及集成电路器件 

本实用新型涉及一种集成电路器件散热结构及集成电路器件,该散热结构包括PCB板以及平贴安装在所述PCB板上的集成电路器件,所述集成电路器件包括:与所述PCB板平行设置的插件类IC主体,以及从所述IC主体的侧面延伸出的至少两个引脚;所述至少两个引脚均具有位于同一平面的焊接部,...
海能达通信股份有限公司  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

印刷电路衬底的制造方法和制造设备 

本发明的课题在于省略印刷电路衬底的制造步骤的不良衬底信息、基准符号的重复读取,提高生产性。在设于印刷电路衬底的制造设备中的制品信息记录装置内,设置有下述记录区域,该记录区域将每个个体固有的制品数据与该个体识别号码相关的方式存储。针对每个衬底,附记个体识别号...
日本梅克特隆株式会社  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

ID标记、ID卡和ID标签 

作为非接触的ID标记,ID标签等被广泛使用,要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如,要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造,或者优选地少于1日元。因而,这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成`#~电路...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2007年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体集成电路器件 

一种半导体集成电路器件。其中包括检测半导体基片偏置的检测电路,此电路按该检测值属于n个设定值所分割区域中的哪个区域来确定输出n个输出信号;根据工作模式或待机模式的控制信号和所述n个输出信号,输出驱动信号的控制电路;按照控制电路来的驱动信号动作,并从半导体基片抽...
东芝株式会社  中国专利  1997年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体集成电路器件的制造方法 

本发明的半导体集成电路器件的制造方法包括将含有由氢气和氧气通过催化作用产生的低浓度水的氧化反应物送到半导体晶片的主表面或附近,在足以确保形成氧化膜的精度和氧化膜厚度均匀性的氧化膜生长速率下,在半导体晶片的主表面上形成薄氧化膜作为MOS晶体管的栅绝缘膜,薄氧化膜的厚度为5nm以下。
株式会社日立制作所  中国专利  2000年 下载次数(0)| 被引次数(0)

不可逆电路器件和通讯设备 

一种不可逆电路器件包括,金属外壳(上外壳部件和下外壳部件)、永磁铁、中心电极组件以及多层基片。多层基片具有从基片上凸出的终端电极并包括电阻元件和匹配的电容元件。多层基片终端电极的制造是通过在约束层中设置通孔,在烧结后除去约束层只留下通孔来完成的。下金属外壳部件的底面部分设置在终端电极之中。覆盖多层基片几乎整...
株式会社村田制作所  中国专利  2003年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法 

本公开涉及半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法。一种具有与晶体振荡器组合执行振荡的功能的半导体集成电路器件包含:第一阻抗元件,包含与晶体振荡器的一个端子耦合的第一外部端子、与晶体振荡器的另一端子耦合的第二外部端子和当执行振荡时与第一和第二外部端子耦合的第一和第二端子;与反馈阻抗元件的第...
瑞萨电子株式会社  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于制造十字电路器件的方法 

一种用于在衬底(1)上制造十字电路的方法,所述十字电路包括第一线(10)的第一格子和第二线(17)的第二格子,第一线(10)沿第一方向延伸,第二线沿第二方向延伸,第一方向和第二方向相对于彼此配置为形成单个二维线格子,每一个第一线通过位于第一和第二线重叠的位...
NXP股份有限公司  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

具有体偏置电路的半导体集成电路器件 

一种半导体集成电路器件,具有MISFET(1;2)和体偏置电路(110,111至113∶3;4;151,161)。MISFET(1;2)具有第一导电类型(p+;n+)的源极(S)和漏极(D)以及栅极(G),MISFET(1;2)形成在第二导电类型(n;p)的阱中(10;20)。体偏置电分路(11...
株式会社半导体理工学研究中心  中国专利  2004年 下载次数(0)| 被引次数(0)

使用虚拟元件来抛光集成电路器件的方法 

本发明公开了一种形成带有虚拟元件(14)及其结构的集成电路器件的方法。一种实施例包括第一有源元件(25),其通过不带有有源元件的虚拟元件可用区,与基本上较小的第二有源元件(12)隔开。虚拟元件(14)存在于虚拟元件可用区内和第二有源元件的邻近处。
摩托罗拉公司  中国专利  2004年 下载次数(0)| 被引次数(0)

高频电路器件 

一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12),另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置,使装有谐振器(12)和端子(13)的...
松下电器产业株式会社  中国专利  2004年 下载次数(1)| 被引次数(0)

遥控彩电常见故障分析与检修(22)——有正常伴音与光栅,无图像故障检修(下) 

3.A6机心有伴音无图像故障检修检修时可通过观察屏幕有无字符显示来缩小故障源范围。⑴如果有字符出现,说明故障源一般出现在集成电路LA7687/7688的8脚(全电视信号输出端)与10脚(TV视频信号输入端)之间的电路中,其中包括如25英寸以上机心的AV/
《电子世界》  2004年 第10期 下载次数(17)| 被引次数(0)

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