金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件 

本发明提供采用属于金属氧化物膜的制造方法的涂布法形成的、兼有优良的透明性和高的导电性、且膜强度优良的金属氧化物膜、以及该金属氧化物膜的制造方法。该金属氧化物膜的制造方法为经由使用一种含有各种有机金属化合物的金属氧化物膜形成用涂布液在基板上形成涂布膜的涂布工序、...
住友金属矿山株式会社  中国专利  2013年 下载次数(0)| 被引次数(0)

含高折射率金属氧化物微粒的涂料组合物及将该涂料组合物涂布于基材上而得的固化性涂膜 

本发明涉及包含具有高折射率和低光催化活性的金属氧化物微粒的涂料组合物及将该涂料组合物涂布于基材上而得的固化性涂膜。具备金红石型晶体结构的特定的钛类微粒的表面至少用二氧化硅类氧化物或二氧化硅类复合氧化物被覆而得的含高折射率金属氧化物微粒的涂料组合物,以及将该涂料组合物涂布于...
日挥触媒化成株式会社  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

核壳型复合氧化物微粒的分散液、该分散液的制造方法及含该微粒的涂料组合物 

将作为主成分不含硅及/或铝的氧化物微粒或复合氧化物微粒作为核粒子,将其表面用由含有硅和铝作为主成分的复合氧化物形成的壳进行被覆的核壳型复合氧化物微粒,其中,所述壳所含的硅和铝的含量以氧化物换算基准的重量比计在SiO2/Al2O3=2.0~30.0的范围内,藉此...
日挥触媒化成株式会社  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

制造半导体装置的方法 

可以使用更大的衬底,并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层,可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管,由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层,以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层;然后,通过在500...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件 

为了提供新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体器件,非易失性锁存电路包括:锁存部分,具有循环结构,其中第一元件的输出电连接到第二元件的输入,并且第二元件的输出电连接到第一元件的输入;以及数据保存部分,配置成保存锁存部分的数据。在数据保存部分中,将使用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性,而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中,形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜),对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括:存储元件,包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管;用于储存所述存储元件的数据的电容器;以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2012年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件及其制造方法 

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是增加半导体器件的孔径比。在一个衬底上提供像素部分和驱动器电路。像素部分中的第一薄膜晶体管(TFT)包括:衬底上的栅极电极层;栅极电极层上的栅极绝缘层;栅极绝缘层上的氧化物半导体层;氧化物半导体层上的源极和漏极电极层;在栅极绝缘层、`#~氧化物`...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及制造半导体装置的方法 

本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素,该驱动电路包括第一薄膜晶体管,该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2011年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的课题之一在于:提供使用不包含In、Ga等的稀有金属而包含Zn的氧化物层的晶体管;在使用包含Zn的氧化物层的晶体管中,减少截止电流并使电特性稳定。在使用包含Zn的氧化物层的晶体管中,在氧化物层上层叠包含绝缘氧化物的`...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

催化剂组合物 

本发明的目的是提供一种催化剂组合物,所述催化剂组合物即使在高温环境下也可以长期实现优异的催化性能,而且含有Rh及/或Pt的固溶率高、品质稳定的钙钛矿型复合氧化物。为了解决上述课题,本发明制备的催化剂组合物包含:下述通式(I)表示的含有Rh的钙钛矿型复合`#~氧化物`@...
大发工业株式会社;株式会社科特拉  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

TFT基板及TFT基板的制造方法 

本发明目的在于,提供一种通过削减制造工序的工序数量就能够大幅度地降低制造成本、并且能够使制造合格率提高的TFT基板及TFT基板的制造方法。TFT基板的结构包括:基板;在基板上形成的n型氧化物半导体层;在n型氧化物半导体层上被沟道部隔离而形成的氧化物导电体...
出光兴产株式会社  中国专利  2008年 下载次数(0)| 被引次数(0)

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 

描述了一种至少部分还原铌氧化物的方法,其中该方法包括将铌氧化物和粉混合形成粉末混合物,然后将其热处理由此形成热处理的颗粒,将该该颗粒在允许氧原子从铌氧化物转移至铌粉的气氛中在足以形成氧还原的铌氧化物的时间和温度下反应,由此形成氧还原的铌`#~...
卡伯特公司  中国专利  2010年 下载次数(0)| 被引次数(0)

冲压成形性优异的热镀锌钢板及其制造方法 

热镀锌钢板具有实质上由η相形成的镀层和存在于所述镀层表面的氧化物层。所述氧化物层的平均厚度为10nm以上。所述氧化物层由Zn类氧化物层和Al类氧化物层形成。其制造方法具有热镀锌工序、表面光轧工序和氧化处理工序。
杰富意钢铁株式会社  中国专利  2005年 下载次数(1)| 被引次数(0)

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 

描述了一种至少部分还原铌氧化物的方法,其中该方法包括将铌氧化物和粉混合形成粉末混合物,然后将其热处理由此形成热处理的颗粒,将该该颗粒在允许氧原子从铌氧化物转移至铌粉的气氛中在足以形成氧还原的铌氧化物的时间和温度下反应,由此形成氧还原的铌`#~...
卡伯特公司  中国专利  2006年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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