正极活性物质及非水系电解质二次电池 

本发明提供作为非水系电解质二次电池用正极活性物质的前体的过渡金属复合氢氧化物及其制备方法、该非水系电解质二次电池用正极活性物质及其制备方法、及使用该正极活性物质的非水系电解质二次电池。本发明的目的在于提供一种作为前体,能够得到粒径小、粒径均匀性高的锂过渡金属复合氧化物的过渡金属复合氢`#~氧化物...
住友金属矿山株式会社  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

镍复合氢氧化物及其制造方法、非水电解质二次电池用正极活性物质及其制造方法以及非水电解质二次电池 

本发明提供一种具有适度的粒径且粒径均匀性高的正极活性物质及作为其前驱体的镍复合氢氧化物。在通过结晶化反应获得镍复合氢氧化物时,将含有至少含镍的金属化合物和铵离子供给体的核生成用水溶液,以使25℃液温基准下的pH值成为12.0~14.0的方式进行控制而实施核生成后,以使25℃液温基准下的pH值成为...
住友金属矿山株式会社  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种阵列基板及其制备方法、显示装置 

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,既可以保证像素单元中薄膜晶体管的稳定性,又能够减小栅极驱动电路中薄膜晶体管的尺寸,以实现窄边框设计。该阵列基板包括像素单元和栅极驱动电路;像素单元包括第一薄膜晶体管,栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的第一金属`#~氧...
京东方科技集团股份有限公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

本发明涉及半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体膜的底栅结构晶体管的制造工序中,进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜且受到氧掺杂处理的晶体管可以减小晶体管在偏压-热应力试验(BT试验)的前后的阈值电压的变化量,从而可以实现具有稳定...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

尾气净化催化剂材料及含该催化剂材料的尾气净化催化剂 

一种用于对从发动机排出的尾气进行净化的尾气净化催化剂材料。其含有含作为主要成分的ZrO2、2质量%以上10质量%以下的La2O3以及2质量%以上20质量%以下的Y2O3的ZrLaY复合氧化物,Rh由...
马自达汽车株式会社  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜晶体管和显示装置 

本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管,其开关特性和应力耐受性良好,特别是应力施加前后的阈值电压变化量小,稳定性优异。本发明的薄膜晶体管,在基板上至少具有:栅电极;栅极绝缘膜;氧化物半导体层;源-漏电极;以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源-漏电极的保护膜,其中,...
株式会社神户制钢所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物膜及其制造方法 

本发明的氧化物膜由银(Ag)及镍(Ni)所形成的氧化物膜构成(可以包含不可避免的杂质)。该氧化物膜由如图3中第一氧化物膜及第2氧化物膜的XRD(X光绕射)分析结果的曲线图所示,在XRD分析中不显示明确的绕射波峰,而为微结晶集合体、含微结晶的非晶态或非晶态,并且...
学校法人龙谷大学  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜晶体管 

本发明提供一种具有迁移率良好,应力耐受性也优异,并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极和保护膜,其中,所述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二`#~氧化...
株式会社神户制钢所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

在具有氧化物半导体膜的晶体管中,抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外,在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中,抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜,并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×10...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

(甲基)丙烯醛非均相催化气相部分氧化为(甲基)丙烯酸的方法 

一种借助多金属氧化物组合物将(甲基)丙烯醛非均相催化气相部分氧化为(甲基)丙烯酸的制备方法,所述多金属氧化物组合物包含元素Mo、V和W,且已通过水热制备路线制得,以及通过该制备路线获得的多金属氧化物组合物。
巴斯夫欧洲公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

本发明提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中,在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水,可以举出包...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

一个目的是提供一种存储器装置,其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置,其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流,并且因而能够有利地没有问题地来操作...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置的制造方法 

本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中,该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管,...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

薄膜晶体管 

本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜,其中,前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二`#~氧化物`...
株式会社神户制钢所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件,以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中,在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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