抗衰退陶瓷基质复合材料和环境隔离涂层 

本公开总体上涉及包括含硅基体的抗衰退燃气涡轮发动机制品和相关涂层及方法。本公开尤其涉及一种包括用化学稳定多孔氧化物层涂覆的硅基体的发动机制品。本公开还涉及一种制品,所述制品包括基体和在顶上的结合涂层,所述结合涂层包含互连硅和互连氧化物的双相层,随后是硅层。本公开还涉及一种抗衰退制品,该制品在含硅...
通用电气公司  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施例包括一种用于晶体管的氧化物半导体层,该氧化物半导体层是本征的或基本本征的并且在该氧化物半导体层的表面部分包括结晶区。从其中去除了将要作为电子施主(施主)的杂质的并且与硅半导体相比具有更大能隙的本征的或基本上本征的半导体被使用。晶体管的电特性能够...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

电致变色锂镍第四族混合金属氧化物 

包含阳极电致变色层的多层电致变色结构,所述阳极电致变色层包含第一基质上的锂镍氧化物组合物,所述阳极电致变色层包含锂、镍和选自钛、锆、铪及其组合的第四族金属,其中(i)该阳极电致变色层中,锂:镍和所述第四族金属的合并量的原子比相应地是至少0.4:1,(ii)该阳极电致变色层中,所述第四族金属的量:镍和所述第四...
基内斯恰技术股份有限公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

无机氧化物粉末以及包括其烧结体的电解质 

本说明书提供了一种无机氧化物粉末以及包括其烧结体的电解质。
株式会社LG化学  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

发光装置及其制造方法 

一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管,各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中,滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管,包括:氧化物半导体膜;绝缘膜,包含氧和硅;栅电极,与氧化物半导体膜相邻,氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠;以及源电极和漏电极,电连接到氧化物...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化铈-氧化锆复合氧化物、其制备方法以及使用氧化铈-氧化锆复合氧化物的用于提纯废气的催化剂 

本发明涉及氧化铈-氧化锆复合氧化物,其含有镧、钇和镨中的至少一种。至少一种稀土元素的总含量与锆和铈总含量之间的比率是0.1at%至4.0at%。在表面附近区域中存在的稀土元素含量占稀土元素总含量的90at%或更大,所述表面附近区域是在与氧化铈-氧化锆复合氧化物初级粒子的表面相距小于50nm的位置...
丰田自动车株式会社;株式会社科特拉  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

正极活性物质及非水系电解质二次电池 

本发明提供作为非水系电解质二次电池用正极活性物质的前体的过渡金属复合氢氧化物及其制备方法、该非水系电解质二次电池用正极活性物质及其制备方法、及使用该正极活性物质的非水系电解质二次电池。本发明的目的在于提供一种作为前体,能够得到粒径小、粒径均匀性高的锂过渡金属复合氧化物的过渡金属复合氢`#~氧化物...
住友金属矿山株式会社  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

提供:第一晶体管,包含沟道形成区域、第一栅极绝缘层、第一栅电极、以及第一源电极和第一漏电极;第二晶体管,包含氧化物半导体层、第二源电极和第二漏电极、第二栅极绝缘层、以及第二栅电极;以及电容器,包含第二源电极和第二漏电极中的一个、第二栅极绝缘层、以及提供为在第二栅极绝缘层之上与第二源电极和第二漏电极中的一个重...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置、显示装置及电子设备 

本发明题为半导体装置、显示装置及电子设备。本发明提供一种能够在显示工作的同时进行外部校正的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置,包括:设置为矩阵状的像素;以及设置于该像素的外部的读出电路,其中该像素包括发光元件及向该发光元件供应电流的晶体管,并且在多个特定像素都以黑色显示时,在寻址期间,通过读出该多个像素中的指定像...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 

本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm,因此当测量区域大于或等于且小于...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体器件 

本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管,包括:氧化物半导体膜;绝缘膜,包含氧和硅;栅电极,与氧化物半导体膜相邻,氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠;以及源电极和漏电极,电连接到氧化物...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

提供一种采用使用氧化物半导体膜的晶体管的新颖的半导体装置,其中将包含Cu的导电膜用作布线或电极等。该半导体装置包括:第一绝缘膜;第一绝缘膜上的氧化物半导体;隔着栅极绝缘膜与氧化物半导体重叠的栅电极:与栅电极的侧表面接触的第二绝缘膜;以及与栅电极的顶表面接触的第三绝缘膜。栅电极包括Cu...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 

本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm,因此当测量区域大于或等于且小于...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

一种铈锆复合氧化物、其制备方法及催化剂的应用 

本发明提供了一种铈锆复合氧化物、其制备方法及催化剂的应用。该铈锆复合氧化物具有复合相结构,包括氧化铈相和铈锆固溶体相,铈锆固溶体相的化学式为CexZr1-x-yMyO2,M为除铈外的稀土元素、过渡金属元素和碱...
有研稀土新材料股份有限公司  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(1)

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