半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 

在包括氧化物半导体膜的半导体装置中,提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2018年 下载次数(0)| 被引次数(0)

制造半导体装置的方法 

在包括氧化物半导体层的晶体管中,形成氧化物绝缘层,以与氧化物半导体层接触。然后,通过氧化物绝缘层将氧引(加)入氧化物半导体层,并进行热处理。通过氧引入和热处理的这些步骤,从氧化物半导体层有意地去除杂质,如氢、水分、羟基或氢化物,以便使`#~氧化物`...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

用于被动NOX吸附(PNA)系统的组合物 

本公开涉及一种用于处理气体的含有被动NOx吸附(PNA)材料的基底以及用于制备此类基底的修补基面涂层。还提供了制备所述PNA材料的方法,以及制备含有所述PNA材料的所述基底的方法。更具体地说,本公开涉及一种用于PNA系统的含有PNA材料的带涂覆的基底,所述带涂覆的基底适用于处理废气。还公开了排气处...
SDC材料公司  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物超导块状磁铁 

本发明涉及一种氧化物超导块状磁铁,其即使在高磁场强度条件下,也可以防止超导块体的破损,而且在超导块体表面可以获得充分的总磁通量;所述氧化物超导块状磁铁的特征在于:具有由板状的氧化物超导块体、和配置于层叠的氧化物超导块体之间的高强度补强构件形成的氧化物超导块状层...
新日铁住金株式会社  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

氧化物半导体膜及半导体装置 

本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下,M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2017年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

提供一种具有即便进行微型化也能够较容易地制造且能够抑制起因于微型化的电特性下降的结构半导体装置以及其制造方法。在氧化物半导体层的顶面上形成源电极层及漏电极层。氧化物半导体层的侧面与源电极层的侧面被设置于同一面上,并电连接于第一布线。此外,氧化物半导体层的侧面与漏电极层的侧面被设置于同...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置,该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中,氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的`#~氧化物...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

经表面处理的氧化物粒子的制造方法及通过该方法得到的氧化物粒子 

本发明提供一种经表面处理的氧化物粒子的制造方法,其中,所述氧化物粒子适用于蓄电池(二次电池)中的正极或负极的活性物质层。使粒子表面的一部分或全部具有碱性化合物的氧化物粒子与含有挥发性酸性化合物的气体接触,以通过气相反应形成中和生成物,从而得到粒子表面的一部分或全部具有中和生成物的、经...
住友金属矿山株式会社  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

显示装置、包括该显示装置的显示模块以及包括该显示装置或该显示模块的电子设备 

本发明涉及显示装置、包括该显示装置的显示模块、以及包括该显示装置或该显示模块的电子设备。提供了一种具有低功率消耗和高显示质量的显示装置。该显示装置包括第一电极和第二电极。一个像素包括:其中在所述第一电极和所述第二电极之间的距离恒定的区域,以及其中该距离变化的区域。这种结构使得液晶的切换操作能够在预定区域开始,从而改善液...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2016年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中,减少阈值电压的偏差,使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中,在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物氧化物半导体层,以氧化物半导体层与源电极层或漏电极...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

显示装置和包括显示装置的电子设备 

本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路,在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体,并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此,即使在显示静止图像...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置 

一种半导体装置包括:晶体管,该晶体管包括绝缘膜、氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜重叠的栅电极以及与氧化物半导体膜接触的一对电极;电容器,该电容器包括在绝缘膜上的第一透光导电膜、在第一透光导电膜上的介电膜以及在介电膜上的第二透光导电膜;在晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜;以及在氧化绝缘膜...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

逻辑电路和半导体器件 

逻辑电路包括:薄膜晶体管,具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区;以及具有端子的电容器,通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度,并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此,薄膜...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及其制造方法 

半导体装置(1001)包括由基板(1)支承的氧化物半导体层(7)和导电体层(13a、13b、13c、13s),该半导体装置中,氧化物半导体层(7)包含第一金属元素,导电体层(13a、13b、13c、13s)具有层叠构造,该层叠构造包括:包含第一金属元素的第一金属氧化物层(m1);配置...
夏普株式会社  中国专利  2015年 下载次数(0)| 被引次数(0)

半导体装置及半导体装置的制造方法 

本发明提供一种不降低开口率而具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置及半导体装置的制造方法。此外,提供一种缩减在制造工序中使用的掩模个数,而降低制造成本的半导体装置。使用透光性材料形成构成电容元件的一对电极和介电膜。作为一对电极中的一个电极,使用由包含杂质的透光性半导体膜形成的电极。另外,作为构成该电容元件的一对电极中...
株式会社半导体能源研究所  中国专利  2014年 下载次数(0)| 被引次数(0)

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